NCEP035N60AG

Pb Free Product NCEP035N60AG http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The NCEP035N60AG uses Super Trench II technology that is ● VDS =60V,ID =90A uniquely optimized to provide the most efficient high frequency RDS(ON)=2.8mΩ (typical) @ VGS=10V switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=3.5mΩ (typical) @ VGS...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- JMTG060N06A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
P- WMB034N06HG4 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
P- YJG95G06B (YJ)
 
 
P- CJAC13TH06 (JSCJ)
 
в ленте 20 шт
 
±
P- CRSM034N06L2 (CRMICRO)
 
10 шт
 
A+ JMSH0602AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ YJB150G06AK (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
A+ YJG175G06AR (YJ)
 
в ленте 5000 шт
 
A+ CJAC130SN06L (JSCJ)
 
 
±
A+ WMK060N08HG2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMM90N08TS (WAYON)
 
TO263
 
A+ YJG85G06AK (YJ)
 
 
A+ NCE60H15AT (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
A+ WMK100N07TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMO030N06HG4 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WML025N06HG2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WMO100N07T1 (WAYON)
 
TO252
 
A+ YJG95G06A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product NCEP035N60AG http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The NCEP035N60AG uses Super Trench II technology that is ● VDS =60V,ID =90A uniquely optimized to provide the most efficient high frequency RDS(ON)=2.8mΩ (typical) @ VGS=10V switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=3.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V losses are minimized due to an extremely low combination of ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching ● Very low on-resistance RDS(on) and synchronous rectification. ● 150 °C operating temperature Application ● Pb-free lead plating ● DC/DC Converter 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification DFN 5X6 Top View Schematic Diagram Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity P035N60AG NCEP035N60AG DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 90 A ID (100℃) 63.6 A Pulsed Drain Current IDM 360 A Maximum Power Dissipation PD 85 W 0.68 W/℃ EAS 520 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 1.47 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 1) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V2.0 PDF
Документация на NCEP035N60AG 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 23.05.2022

Размер: 1.35 Мб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.