NCEP039N10

NCEP039N10, NCEP039N10D NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and syn...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMM028N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ JMSH1004AE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ WMM028N10HG2 (WAYON)
 
TO263 5 шт
 
A+ NCEP026N10D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP026N10 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP023N10D (NCE)
 
TO263 6 шт
 
±
A+ NCEP023N10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
±
A+ NCEP01T18VD (NCE)
 
 
±
A+ NCEP01T18T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ NCEP01T18 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ JMSH1004BE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ JMSH1004BC-U (JIEJIE)
 
TO2203L 50 шт
 
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ JMSH1003NE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ WMK028N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMB128N10T2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB072N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB049N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ NCEP026N10T (NCE)
 
TO-247-3 ±

Файлы 1

показать свернуть
NCEP039N10, NCEP039N10D NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Application ● DC/DC Converter ●Ideal for high-frequency switching and synchronous General Features ● VDS =100V,ID =135A RDS(ON)=3.65mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V RDS(ON)=3.5mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating ● Pb-free Mold Compound 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! rectification TO-220 TO-263 Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP039N10 NCEP039N10 TO-220 - - - NCEP039N10D NCEP039N10D TO-263 - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 135 A ID (100℃) 108 A Pulsed Drain Current IDM 540 A Maximum Power Dissipation PD 220 W 1.47 W/℃ EAS 730 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJC 0.68 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 1) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 http://www.ncepower.com V1.0 PDF
Документация на NCEP039N10D 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 14.12.2022

Размер: 1.77 Мб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.