NCEP060N10

NCEP060N10, NCEP060N10D NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency General Features ● VDS =100V,ID =100A switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=5.6mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V losses are minimized due to an extremely low comb...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMM043N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMB049N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMM060N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ CJPF130SN10 (JSCJ)
 
TO220F
 
±
A+ CJP130SN10 (JSCJ)
 
TO2203L
 
±
A+ CJB130SN10 (JSCJ)
 
TO2632L
 
±
A+ CJB120SN10 (JSCJ)
 
TO2632L
 
±
A+ CJAC110SN10L (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC110SN10H (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC110SN10A (JSCJ)
 
в ленте 32 шт
 
±
A+ WMB128N10T2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB072N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMM043N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMK058N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMM055N10HG2 (WAYON)
 
TO263
 
A+ WMK049N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMB129N10T2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ YJG90G10A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
A+ NCEP065N10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMK060N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK043N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB060N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
NCEP060N10, NCEP060N10D NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency General Features ● VDS =100V,ID =100A switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=5.6mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON)=5.4mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Application ● DC/DC Converter ●Ideal for high-frequency switching and ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! synchronous rectification TO-220 TO-263 Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP060N10 NCEP060N10 TO-220 - - - NCEP060N10D NCEP060N10D TO-263 - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage Parameter VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 100 A ID (100℃) 72 A Pulsed Drain Current IDM 400 A Maximum Power Dissipation PD 140 W 0.93 W/℃ EAS 680 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 http://www.ncepower.com V1.0 PDF
Документация на NCEP060N10 

Microsoft Word - NCEP060N10,NCEP060N10D data sheet.doc

Дата модификации: 03.03.2020

Размер: 398.6 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.