NCEP3090GU

NCEP3090GU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP3090GU uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and syn...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB017N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
A+ WMB31430DN (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ NCEP40T14G (NCE)
 
 
±
A+ NCEP40T13GU (NCE)
 
 
±
A+ NCEP30T17GU (NCE)
 
 
±
A+ NCEP30T12G (NCE)
 
 
±
A+ NCEP015N30GU (NCE)
 
 
±
A+ YJG130G04A (YJ)
 
 
Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ JMSL0402BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMTG3002B (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0303AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0302AU-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
A+ JMSL0302AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0302AG (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6
 
A+ JMGG020V04A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
A+ CJAC150N03A (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC130SN04L (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC110N03A (JSCJ)
 
 
±
A+ NCEP40T15A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 40 шт
 
±

Файлы 1

показать свернуть
NCEP3090GU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP3090GU uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. RDS(ON)=2.0mΩ (typical) @ VGS=10V RDS(ON)=3.1mΩ (typical) @ VGS=4.5V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● 150 °C operating temperature ● DC/DC Converter for ● VDS =30V,ID =90A ● Very low on-resistance RDS(on) Application ● Ideal General Features high-frequency switching and synchronous ● Pb-free lead plating 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! rectification DFN 5X6 Top View Schematic Diagram Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity P3090GU NCEP3090GU DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 90 A ID (100℃) 63.6 A Pulsed Drain Current IDM 360 A Maximum Power Dissipation PD 85 W 0.68 W/℃ EAS 500 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 1.47 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 1) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V5.0 PDF
Документация на NCEP3090GU 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 07.12.2022

Размер: 1010.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.