NCEP30T12G

NCEP30T12G http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP30T12G uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and syn...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJG130G04A (YJ)
 
 
Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ JMSL0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ WMB31430DN (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ JMTG3002B (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0402BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ YJG200G04AR (YJ)
 
1 шт
 
A+ JMSL0302AU-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
A+ JMSL0303AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0302AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0302AG (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6
 
A+ JMSH0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMGG020V04A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
A+ CJAC150N03A (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC130SN04L (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC110N03A (JSCJ)
 
 
±
A+ NCEP015N30GU (NCE)
 
 
±

Файлы 1

показать свернуть
NCEP30T12G http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP30T12G uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. General Features ● VDS =30V,ID =120A Schematic Diagram RDS(ON)=1.95mΩ (typical) @ VGS=10V RDS(ON)=2.85mΩ (typical) @ VGS=4.5V D D S S D D D D D D ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 150 °C operating temperature ● Pb-free lead plating ● 100% UIS tested Application S G G S Top View S S Bottom View ● DC/DC Converter 100% UIS TESTED! ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification 100% ∆Vds TESTED! Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP30T12G NCEP30T12G DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 120 A ID (100℃) 84.8 A Pulsed Drain Current (Package Limited) IDM 340 A Maximum Power Dissipation PD 75 W 0.6 W/℃ EAS 600 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ Drain Current-Continuous (Silicon Limited) Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V2.0 PDF
Документация на NCEP30T12G 

Microsoft Word - NCEP30T12G data sheet.doc

Дата модификации: 02.07.2020

Размер: 437.2 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.