2N7002K

Shikues
2N7002K N-Channel Channel Enhancement Mode MOSFET Feature 60V/0.5A, RDS(ON) = 2000mΩ(MAX) @VGS = 10V. Id = 0.5A RDS(ON) = 2500mΩ(MAX) @VGS = 4.5V. Id = 0.2A RDS(ON) = 4500mΩ(MAX) @VGS = 2.5V. Id = 0.1A Super High dense cell design for extremely low RDS(ON) . Reliable and Rugged. ESD Protection SOT-23 : HBM≧ 1.5K V SOT-23 for Surface Mount Package. Applications ● Power Management in Deskt...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= 2N7002K (JSCJ)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P= 2N7002KC (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= WM05N02M (WAYON)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — — — —
P= WM06N03M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P= 2N7002K SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 ± — — — — —
P= 2N7002K (NCE)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 ± — — — —
P= 2N7002G-AE2-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P= CS3N06AS-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ BSS138KJ (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ MMBF170 (SHIKUES)
 

MMBF170 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 1 шт
 
 — — ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
2N7002K N-Channel Channel Enhancement Mode MOSFET Feature 60V/0.5A, RDS(ON) = 2000mΩ(MAX) @VGS = 10V. Id = 0.5A RDS(ON) = 2500mΩ(MAX) @VGS = 4.5V. Id = 0.2A RDS(ON) = 4500mΩ(MAX) @VGS = 2.5V. Id = 0.1A Super High dense cell design for extremely low RDS(ON) . Reliable and Rugged. ESD Protection SOT-23 : HBM≧ 1.5K V SOT-23 for Surface Mount Package. Applications ● Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters . Absolute Maximum Ratings TA=25℃ Unless Otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 0.5 A Drain Current-Continuous Electrical Characteristics Parameter TA=25℃ Unless Otherwise noted Symbol Test Conditions Min Typ. Max Units BVDSS VGS=0V, ID=10µA 60 - - V Zero-Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=60V, VGS=0V - - 1 µA Gate Body Leakage Current, Forward IGSSF VGS=20V, VDS=0V - - 10 µA Gate Body Leakage Current, Reverse IGSSR VGS=-20V, VDS=0V - - -10 µA VGS(th) VGS= VDS, ID=250µA 0.85 1.2 2.5 V VGS =10V, ID =0.5A - 1200 2000 mΩ VGS =4.5V, ID =0.2A - 1400 2500 mΩ VGS =2.5V, ID =0.1A - 4500 mΩ 1.5 V Off Characteristics Drain to Source Breakdown Voltage On Characteristics Gate Threshold Voltage Static Drain-source RDS(ON) On-Resistance - Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings Drain-Source Diode Forward Voltage REV.08.1 VSD VGS =0V, IS=0.2A 1 of 3 PDF
Документация на 2N7002K 

南科集成电子有限公司

Дата модификации: 22.12.2021

Размер: 412 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)