Вход / Регистрация

CS3N06AS-G

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS3N06 AS-G General Description： CS3N06 AS-G, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench VDSS 60 V ID 3 A RDS(ON)Typ 75 mΩ technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a battery protect or in other appli...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид IRLML0030TRPBF

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= 2N7002K (JSCJ)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= WM06N03M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= 2N7002G-AE2-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= WM05N02M (WAYON)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
P= 2N7002KC (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= 2N7002K SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3 2460 шт
 
P= 2N7002K (NCE)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= 2N7002K (SHIKUES)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
P- IRLML0060 (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- YJL03N06B (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
P- NCE6003X (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- NCE6005AR (NCE)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт
P- WM06N30M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- IRLML2060TR (YOUTAI)
 
— 20 шт
 
P- IRLML0040TR (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- JMTL400N04A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
P- JMTL2310A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- CJ2310 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- JMTY2310A (JIEJIE)
 
SOT2233L 4000 шт
 
P- YJM05N06A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 5 шт
P- WM06N30MS (WAYON)
 
—
 
P- WM04N50M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- YJL03N06A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
P- YJL05N04C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS3N06 AS-G General Description： CS3N06 AS-G, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench VDSS 60 V ID 3 A RDS(ON)Typ 75 mΩ technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a battery protect or in other applications. The package form is SOT-23, which accords with the RoHS standard. Features： l Fast Switching l Low ON Resistance(Rdson≤ 105mΩ) l Low Gate Charge l Low Reverse transfer capacitances l 100% Single Pulse avalanche energy Test l Halogen Free Applications： LED、electric tools Absolute（TA= 25℃ unless otherwise specified） Symbol Parameter VDSS Drain-to-Source Voltage Rating Units 60 V 3 A Continuous Drain Current T A= 100 °C 1.8 A Pulsed Drain Current 12 A ±20 V Single Pulse Avalanche Energy 11 mJ PD Power Dissipation 1.1 W TJ，T stg Operating Junction and Storage Temperature Range 150，–55 to 150 ℃ Continuous Drain Current ID IDM a1 VGS EAS Gate-to-Source Voltage a2 W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . Pag e 1 of 1 0 2019V01 PDF
Документация на CS3N06AS-G 

CS3N06%20AS-G[1].doc

Дата модификации: 27.02.2019

Размер: 446.2 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.