PXT2222A

PXT2222A SOT-89-3 L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) SOT-89 -3 L FEATURES z Epitaxial planar die construction z Complementary PNP Type available(PXT2907A) 1. BASE MARKING: 1P 3. EMITTER 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 75 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VEBO IC Emitter-Ba...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-89
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= PXT2222A (JSCJ)
 
SOT893L 1000 шт
 
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
в ленте 5 шт
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 50 шт
 
A+ BCW66 (JSCJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ 2SC4672 (JSCJ)
 
SOT-89 в ленте 100 шт
 
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
SOT893L в ленте 1000 шт
 
A+ 2SD1616A (JSCJ)
 
 
A+ 2SD1616A TO-92 (JSCJ)
 
TO-92-3
 
A+ FMMT491 (JSCJ)
 

FMMT491 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ FMMT491 100-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ FMMT493 SOT-23 (JSCJ)
 
 
A+ 2SD1899 (JSCJ)
 
TO2522L 1 шт
 
A+ 2SD2391 (JSCJ)
 
SOT893L
 
A+ MMBT1616A (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 20 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
PXT2222A SOT-89-3 L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) SOT-89 -3 L FEATURES z Epitaxial planar die construction z Complementary PNP Type available(PXT2907A) 1. BASE MARKING: 1P 3. EMITTER 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 75 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VEBO IC Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous 6 800 V mA PC Collector Power Dissipation 0.5 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55 ~150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC= 10μ A,IE=0 75 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= 10mA, IB=0 40 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10μA, IC=0 6 V Collector cut-off current ICBO VCB=60V, IE=0 0. 01 μA Emitter cut-off current IEBO VEB= 5V , IC=0 0. 01 μA hFE(1) VCE=10V, IC= 0.1mA 35 hFE(2) VCE=10V, IC= 1mA 50 hFE(3) VCE=10V, IC= 10mA 75 hFE(4) VCE=10V, IC= 150mA 100 hFE(5) VCE=1V, IC= 150mA 50 40 DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage 300 hFE(6) VCE=10V, IC= 500mA VCE(sat) IC=500mA, IB= 50mA 1 V VCE(sat) IC=150mA, IB=15mA 0.3 V VBE(sat) IC=500mA, IB=50mA 2.0 V VBE(sat) IC=150mA, IB=15mA 0.6 1.2 V VCE=10V, IC=20mA f=100MHz 300 MHz Transition frequency fT Output Capacitance Cob VCB=10V, IE= 0,f=1MHz 8 pF td VCC=30V, IC=150mA VBE(off)=0.5V,IB1=15mA 10 ns Delay time Rise time tr Storage time tS Fall time tf REV.08 VCC=30V, IC=150mA IB1=- IB2= 15mA 1 of 3 25 ns 225 ns 60 ns PDF
Документация на PXT2222A 

Microsoft Word - PXT2222A_SOT-89_.doc

Дата модификации: 10.03.2016

Размер: 3.62 Мб

3 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    11 октября 2024
    статья

    Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.