PXT2222A

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors PXT2222A TRANSISTOR (NPN) SOT-89-3L FEATURES z Epitaxial planar die construction Complementary PNP Type available(PXT2907A) z 1. BASE 2. COLLECTOR MARKING: 1P 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 75 V VCEO Coll...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT893L
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= PXT2222A (SHIKUES)
 
SOT-89
 
 — — — —
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — — —
A+ BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT2222A (JSCJ)
 

MMBT2222A (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ MMBTA05 (YOUTAI)
 

MMBTA05 (ONS-FAIR) 		— в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA06 (YOUTAI)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMST2222A (JSCJ)
 
SOT-323-3 — — — —
A+ MMST5551 (JSCJ)
 
SOT-323-3 3000 шт — — — —
A+ MPS2222A (JSCJ)
 
TO-92-3 2000 шт
 
 — — — —
A+ MPS2222A-TA (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ MPSA06-TA (JSCJ)
 
TO-92-3
 
 — — — —
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG) 		TO-92-3 1000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors PXT2222A TRANSISTOR (NPN) SOT-89-3L FEATURES z Epitaxial planar die construction Complementary PNP Type available(PXT2907A) z 1. BASE 2. COLLECTOR MARKING: 1P 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 75 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VEBO IC Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous 6 600 V mA PC Collector Power Dissipation 0.5 W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55 ~150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC= 10μ A,IE=0 75 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= 10mA, IB=0 40 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10μA, IC=0 6 V Collector cut-off current ICBO VCB=60V, IE=0 0. 01 μA Emitter cut-off current IEBO VEB= 5V , IC=0 0. 01 μA hFE(1) VCE=10V, IC= 0.1mA 35 hFE(2) VCE=10V, IC= 1mA 50 hFE(3) VCE=10V, IC= 10mA 75 hFE(4) VCE=10V, IC= 150mA 100 hFE(5) VCE=1V, IC= 150mA 50 hFE(6) VCE=10V, IC= 500mA 40 VCE(sat) IC=500mA, IB= 50mA 1 V VCE(sat) IC=150mA, IB=15mA 0.3 V VBE(sat) IC=500mA, IB=50mA 2.0 V VBE(sat) IC=150mA, IB=15mA 0.6 1.2 V VCE=10V, IC=20mA f=100MHz 300 DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage 300 MHz Transition frequency fT Output Capacitance Cob VCB=10V, IE= 0,f=1MHz 8 pF Delay time td 10 ns Rise time tr VCC=30V, IC=150mA VBE(off)=0.5V,IB1=15mA 25 ns Storage time tS 225 ns Fall time tf 60 ns www.jscj-elec.com VCC=30V, IC=150mA IB1=- IB2= 15mA 1 A,May,2011 Rev. - 2.0 PDF
Документация на PXT2222A 

Microsoft Word - PXT2222A_SOT-89_.doc

Дата модификации: 18.05.2020

Размер: 668.1 Кб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    11 октября 2024
    статья

    Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)