TSM900N10CP ROG
Taiwan Semiconductor
- Группа: FET транзисторы
- Серия: TSM900N10CP
- Корпус: TO252
- Норма упаковки: 2500 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO252 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Ёмкость затвора |  | |
| Особенности |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 19
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | WMK25N10T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | CJU30N10 (JSCJ) | TO2522L |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | TSM900N10CP (TSC) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — |  | — | ||
| A+ | JMSL1040AUQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSL1040AG-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSL1018AUQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | TSM900N10CH X0G (TSC) | TO251 | 75 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — |  |  | ||
| A+ | WMO25N10T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMS080N10LG2 (WAYON) | SOP8L |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | CJU15SN10 (JSCJ) | TO2522L |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | WMQ175N10LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | YJG18N10A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| A+ | IRFR540Z (EVVO) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | IRFR3410 (EVVO) IRFR3410 (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | IRF540NS (EVVO) IRF540NS (INFIN) | TO263 | в ленте 800 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | NCE0130KA (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | NCE0130GA (NCE) | DFN-8 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | NCE0117 (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | JMTC320N10A (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — |
Файлы
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.