TSM900N10CH X0G

Taiwan Semiconductor
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO251
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJG18N10A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CJU30N10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ WMO25N10T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ JMTK320N10A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
A+ JMSL1040AUQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
A+ JMSL1040AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL1018AUQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
A+ TSM900N10CP ROG (TSC)
 
TO252 2500 шт
 
A+ WMK25N10T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMS080N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
A+ CJU15SN10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ IRFR540Z (EVVO)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ IRFR3410 (EVVO)
 

IRFR3410 (INFIN)
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ IRF540NS (EVVO)
 

IRF540NS (INFIN)
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ NCE0130KA (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ NCE0130GA (NCE)
 
DFN-8 в ленте 5000 шт
 
±
A+ NCE0117 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
A+ JMTC320N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ TSM900N10CP (TSC)
 
TO252 1 шт
 
A+ WMQ175N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 

Файлы

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.