WMB03DN06T1

WAYON
WMB03DN06T1 60V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB03DN06T1 uses advanced power trench technology that has D1 D1 D2 D2 D2 D2 D1 D1 been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S1 Features  RDS(on) < 110mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 120mΩ @ VGS = 4.5V Low Gate Charge  100% EAS Guaranteed G2...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMT07N06TS (WAYON)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт — — —
A+ JMTY2310A (JIEJIE)
 
SOT2233L 4000 шт
 
 — — — —
A+ TSM900N06CW RPG (TSC)
 
SOT-223 2500 шт
 
 — —
A+ FDN5630 (YOUTAI)
 

FDN5630 (ONS-FAIR) 		— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ CJU07N06 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ WMR07N06TS (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ IRFL4105 (EVVO)
 

IRFL4105 (INFIN) 		SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ IRF7478 (EVVO)
 

IRF7478 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ IRLL024N (EVVO)
 

IRLL024N (INFIN) 		SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — —
A+ NCE6005AR (NCE)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт ± — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMB03DN06T1 60V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB03DN06T1 uses advanced power trench technology that has D1 D1 D2 D2 D2 D2 D1 D1 been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S1 Features  RDS(on) < 110mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 120mΩ @ VGS = 4.5V Low Gate Charge  100% EAS Guaranteed G2 G2 S2 PDFN5060-8L VDS = 60V, ID = 6A  G1 S2 RoHS D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 compliant Applications  Power Management in Switches  DC/DC Converter Absolute Maximum Ratings（TA = 25°C, unless otherwise noted） Parameter 1 2 3 4 S1 G1 S2 G2 Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V TC=25°C 6 ID Continuous Drain Current TC=100°C A 3.8 IDM 24 A EAS 7.9 mJ PD 6.94 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 RθJA 60 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC 18 °C/W Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.1.0, 2021 Doc:W0803598 1/7 G1 S1 PDF
Документация на WMB03DN06T1 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:

Дата модификации: 24.06.2022

Размер: 597.2 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)