NCE6005AR

NCE6005AR http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6005AR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS=60V,ID=5A RDS(ON) <30mΩ @ VGS=10V (Typ.26mΩ) Schematic diagram RDS(ON) <38mΩ @ VGS=4.5V (Typ.32mΩ) ● High density c...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 26

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= NCE6003M (NCE)
 
SOT-89 100 шт ±
P= IRLL024N (EVVO)
 

IRLL024N (INFIN)
SOT-223 в ленте 2500 шт
 
P- YJM05N06A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 5 шт
P- WMT07N06TS (WAYON)
 
SOT-223 в ленте 3000 шт
P- CS3N06AS-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
P- IRLL024NTR (JSMICRO)
 

IRLL024NTR (INFIN)
в ленте 200 шт
 
P- IRLL024ZTR (JSMICRO)
 

IRLL024ZTR (INFIN)
 
P- IRLL014NTR (JSMICRO)
 

IRLL014NTR (INFIN)
100 шт
 
P- IRFL014NTRPBF (JSMICRO)
 

IRFL014NTRPBF (INFIN)
 
P- IRFL4105TRPBF (JSMICRO)
 

IRFL4105TRPBF (INFIN)
 
P- IRLL014NTRPBF-VB (VBSEMI)
 

IRLL014NTRPBF (VBSEMI)
SOT-223 в ленте 2500 шт
 
P- IRFL4105 (EVVO)
 

IRFL4105 (INFIN)
SOT-223 в ленте 2500 шт
 
P- IRLL014N (EVVO)
 

IRLL014N (INFIN)
SOT-223 в ленте 2500 шт
 
A+ TSM4436CS RLG (TSC)
 
TS6P 2500 шт
 
A+ YJS4438A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 12000 шт
 
A+ S-LNB8266DT0AG (LRC)
 
 
±
A+ NCE6008AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 1200 шт ±
A+ NCE6005AN (NCE)
 
SOT236L
 
±
A+ IRF7351 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
A+ YJL05N06AL (YJ)
 
1 шт
 
A+ YJJ05N06A (YJ)
 
 
A+ IRF7478 (EVVO)
 

IRF7478 (INFIN)
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
A+ NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
A+ WMS09N06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ WMR07N06TS (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
A+ LN2604DT2AG (LRC)
 
в ленте 40 шт
 
±

Файлы 1

показать свернуть
NCE6005AR http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6005AR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS=60V,ID=5A RDS(ON) <30mΩ @ VGS=10V (Typ.26mΩ) Schematic diagram RDS(ON) <38mΩ @ VGS=4.5V (Typ.32mΩ) ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation ● Special process technology for high ESD capability Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits SOT-223-3L view ● Uninterruptible power supply Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE6005AR NCE6005AR SOT-223-3L Ø330mm 12mm 2500 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 5 A ID (100℃) 3.5 A IDM 24 A PD 2 W IAS 18 A EAS 84 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 62.5 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Pulsed Drain Current Maximum Power Dissipation Single pulse avalanche Current Single pulse avalanche energy (Note 5) (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V5.0 PDF
Документация на NCE6005AR 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 20.06.2022

Размер: 674.3 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    14 марта 2024
    новость

    На складе КОМПЭЛ готовы к заказу дискретные полупроводники NCE

    Продукция китайского фаблесс–производителя дискретных полупроводниковых компонентов Wuxi New Clean Energy Co., Ltd. (NCE) пополнила склад КОМПЭЛ (таблица 1). Компания NCE была основана в 2013 году в городе Уси и сейчас фокусируется на... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.