FDN5630

UMW
UMW UMW R R FDN5630 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET SOT–23 PRODUCT SUMMARY VDS (V) 60 RDS(on) (mΩ) ID (A)a 85 at VGS = 10 V 4.0 96 at VGS = 4.5 V 3.8 Qg (Typ.) 2.1 nC 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATIONS D • Battery Switch • DC/DC Converter G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unle Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Curren...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Истор. имя: FDN5630 (ONS-FAIR)
  • Корпус: —
  • Норма упаковки: 3000  шт. (в ленте)

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMS08N06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ WMS08DN06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ TSM900N06CW RPG (TSC)
 
SOT-223 2500 шт
 
 — —
A+ TSM4436CS RLG (TSC)
 
TS6P 2500 шт
 
 — —
A+ WMR07N06TS (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ IRLL024N (EVVO)
 

IRLL024N (INFIN) 		SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ IRF7478 (EVVO)
 

IRF7478 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ IRF7351 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт — — — — —
A+ NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — —
A+ NCE6005AR (NCE)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт ± — — — —
A+ WMT07N06TS (WAYON)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт — — —

Файлы 1

показать свернуть
UMW UMW R R FDN5630 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET SOT–23 PRODUCT SUMMARY VDS (V) 60 RDS(on) (mΩ) ID (A)a 85 at VGS = 10 V 4.0 96 at VGS = 4.5 V 3.8 Qg (Typ.) 2.1 nC 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATIONS D • Battery Switch • DC/DC Converter G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unle Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) Symbol VDS VGS TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C Pulsed Drain Current Limit 60 ± 20 4.0 3.4 ID 3.1b, c 2.5b, c 12 1.39 0.91b, c 6 1.8 1.66 1.06 1.09b, c 0.7b, c - 55 to 150 IDM Continuous Source-Drain Diode Current TC = 25 °C TA = 25 °C IS Avalanche Current Single-Pulse Avalanche Energy L = 0.1 mH IAS EAS Maximum Power Dissipation TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C PD TJ, Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range Unit V A mJ W °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter ≤5s Maximum Junction-to-Ambientb, d Steady State Maximum Junction-to-Foot (Drain) Notes: a. Based on TC = 25 °C. b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board. c. t = 5 s. d. Maximum under Steady State conditions is 120 °C/W. www.umw-ic.com Symbol RthJA RthJF 1 Typical 90 60 Maximum 115 75 Unit °C/W UTD Semiconductor Co.,Limited PDF
Документация на FDN5630 

UMW FDN5630

Дата модификации: 27.12.2022

Размер: 895.9 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)