WMB190N15HG4
WMB190N15HG4
150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMB190N15HG4 uses Wayon's 4th generation power trench
D
D
D
D
D
MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the
s
ss
on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
D
DD
G
G
ss
s
This device is well suited for high efficiency fast switching applications.
PDFN5060-8L
Featur...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Корпус: —
Аналоги 3
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|
P= | WMO175N10HG4 (WAYON) | — | |||
P= | WMB198N15HG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | ||
P- | YJG60G15HJ (YJ) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMB190N15HG4
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 24.10.2023
Размер: 980.1 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.