2N7002KCE

SUNCO
RoHS 2N7002KCE COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS 60V ● ID 300mA ● RDS(ON)( at VGS=10V) ＜2.5ohm ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ＜3.0ohm ● Gate-Source ESD Rating Up to 2KV (HBM) General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● Low input Capacitance ● Fast Switching Speed ● Low Input / Output Leakage ●...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-523
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ 2N7002 (YJ)
 

2N7002 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ 2N7002K 72K (JSCJ)
 
— в ленте 300 шт
 
 — — —
A+ 2N7002KCW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — —
A+ TQM2N7002KCX RFG (TSC)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — —
A+ TQM2N7002KCU RFG (TSC)
 
SOT-323-3 3000 шт — —
A+ TSM2N7002KCX RFG (TSC)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — —
A+ 2N7002KW SOT-323 (JSCJ)
 
SOT-323-3 — — —
A+ CJBA7002K (JSCJ)
 
DFN10063 в ленте 300 шт
 
 ± — — — — —
A+ 2N7002KW (YJ)
 

2N7002KW (ONS-FAIR) 		— — —
A+ 2N7002KCQ (YJ)
 
—
 
 — —
A+ 2N7002C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ 2N7002KCWQ (YJ)
 
SOT-323-3 2600 шт — —
A+ 2N7002KC (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ 2N7002A (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — —
A+ 2N7002K (JSCJ)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ 2N7000 (DC)
 

2N7000 (ONS-FAIR) 		TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — —
A+ BSS138KWJ (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ BSS138KJ (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ 2N7002W (YJ)
 

2N7002W (ONS-FAIR) 		SOT-323-3 в ленте 3000 шт — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS 2N7002KCE COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS 60V ● ID 300mA ● RDS(ON)( at VGS=10V) ＜2.5ohm ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ＜3.0ohm ● Gate-Source ESD Rating Up to 2KV (HBM) General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● Low input Capacitance ● Fast Switching Speed ● Low Input / Output Leakage ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Battery operated systems ● Solid-state relays ● Direct logic-level interface：TTL/CMOS ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current 300 ID TA=70℃ @ Steady State Unit mA 240 Pulsed Drain Current A IDM 1.5 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 300 mW RθJA 416 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE 2N7002KCE F2 72C 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-E263 Rev.1.2,24-Oct-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на 2N7002KCE 

Дата модификации: 08.11.2022

Размер: 576.2 Кб

6 стр.

RoHS 2N7002KCE COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS 60V ● ID 300mA ● RDS(ON)( at VGS=10V) ＜2.5ohm ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ＜3.0ohm ● ESD Protected Up to 2.0KV (HBM) General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● Low input Capacitance ● Fast Switching Speed ● Low Input / Output Leakage Applications ● Battery operated systems ● Solid-state relays ● Direct logic-level interface：TTL/CMOS ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current 300 ID TA=70℃ @ Steady State Unit mA 240 Pulsed Drain Current A IDM 1.5 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 300 mW RθJA 416 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE 2N7002KCE F2 72C 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-E263 Rev.1.1,10-Dec-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на 2N7002KCE 

Microsoft Word - 2N7002KCE Rev1.0

Дата модификации: 10.12.2020

Размер: 744.5 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)