BC817-40WQ

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ BC817-40 (YJ)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-40W (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-40Q (YJ)
 
SOT-23-3
 
A+ MMBT5551 SOT-23 H (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ BC546B (KLS)
 
1 шт
A+ 2SD1616A 200-400 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
A+ BCW66H (JSCJ)
 
1200 шт
 
A+ 2SD2396 (JSCJ)
 
TO220F
A+ 2SD1802T (SHIKUES)
 
TO252
 
A+ 2SD1899K (SHIKUES)
 
TO2522L
 
A+ BC817-40 (SHIKUES)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3
 
A+ LBC817-40LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
A+ LBC817-40WT1G (LRC)
 
20 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN
A+ LBSS4350SY3T1G (LRC)
 
 
A+ LBSS4350SZ4TZHG (LRC)
 
 
A+ 2SC4672G-B-AB3-R (UTC)
 
SOT-89
A+ 2SC5569G-AB3-R (UTC)
 
SOT-89
A+ 2SD1616AG-G-AB3-R (UTC)
 
SOT-89

Файлы

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.