YJB200G06A

SUNCOYJ
RoHS YJB200G06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 200A ＜2.6 mohm ＜3.6 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Consumer electr...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJB200G06C (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — —
A+ NCEP60T20LL (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ YJP200G06A (YJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
 — —
A+ CRTT029N06N (CRMICRO)
 
TO-220-3
 
 — — —
A+ CRTS029N06N (CRMICRO)
 
TO263
 
 — — —
A+ CRSQ024N08N (CRMICRO)
 
TO-247-3 — — —
A+ CRSP027N10NZ (CRMICRO)
 
TO-247-3 2000 шт — — —
A+ NCEP60T20T (NCE)
 
TO-247-3 ± — — —
A+ NCEP60T20D (NCE)
 
TO263
 
 ± — — —
A+ NCEP018N60 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ JMSH0601ATL-13 (JIEJIE)
 
PGHSOF8 в ленте 2000 шт
 
 — — — —
A+ NCEP60T20 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ JMSL0601BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0601AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ CS240N06A8 (CRMICRO)
 
TO220AB
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJB200G06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 200A ＜2.6 mohm ＜3.6 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Consumer electronic power supply ● Isolated DC-DC Converters ● Motor control ● Invertors ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 200 TC=25℃ Drain Current A ID A 125 TC=100℃ Pulsed Drain Current B IDM 600 A Avalanche energy C EAS 500 mJ Total Power Dissipation D PD 260 W Thermal Resistance Junction-to-Case RθJC 0.48 Thermal Resistance Junction-to-Ambient E RθJA 28 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃/ W ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJB200G06A F2 YJB200G06A 800 / 8000 13“ reel 1/7 S-E049 Rev.2.0,01-Dec-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJB200G06A 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 24.12.2019

Размер: 762.1 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)