YJG50N03A
RoHS
YJG50N03A
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS= 10V)
● RDS(ON)( at VGS=4.5V)
● 100% UIS Tested
● 100% ▽VDS Tested
30V
50A
<4.7mohm
<6.0mohm
General Description
● Trench Power LV MOSFET technology
● Excellent package for heat dissipation
● High density cell design for low RDS(ON)
Applications
● High current load ap...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L5X6
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | PDFN8L5X6 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание: Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 24
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | WMB040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | NCE3065G (NCE) | — | ± | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | 30N03A (YOUTAI) | TO252 | в ленте 100 шт | — | ± | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAB75N03U (JSCJ) | — | в ленте 5000 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJAC80N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAC90N04 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | TQM019NH04LCR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | TQM019NH04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт |
| — | ||||||||||||
A+ | TQM019NH04CR-V RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | |||||||||||||
A+ | YJG100N04A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | TQM025NH04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | WMQ023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | CJAB60N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAB55N03S (JSCJ) | — |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJAB55N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJQ60N03A (YJ) | DFN30308 | 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJD80N03B (YJ) | TO252 |
| Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | ||||||||||||
A+ | YJD80N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
A+ | NCE3095K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMB032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB017N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | ||||||||||
A+ | WMQ032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | TQM025NH04LCR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — |
Файлы 2
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.