WMB040N03LG2
WMB040N03LG2
30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMB040N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET
D
D
D
D
D
D
DD
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
s
ss
resistance and yet maintain superior switching performance. This device
is well suited for high efficiency fast switching applications.
ss
G
PDFN5060-8L
Features
⚫
G
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L5X6
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | PDFN8L5X6 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 24
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | NCE3065G (NCE) | — | ± | — | — | — | — | ||||||||||
P- | JMSL0307AG (JIEJIE) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P- | YJG50N03A (YJ) | PDFN8L5X6 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | |||||||||||||
A+ | YJD80N03B (YJ) | TO252 |
| Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | ||||||||||||
A+ | IRLR7843 (EVVO) IRLR7843 (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJD60N04A (YJ) | TO252 | в ленте 5000 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
A+ | YJD80N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
A+ | YJQ60N03A (YJ) | DFN30308 | 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG60G04HHQ (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 30 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | NCE3095K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMQ80N03T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJG105N03A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт | Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | YJG100N04A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | CJU100N03S (JSCJ) | TO2522L | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | BSC034N03LSG (EVVO) | — | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMB108N03T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB017N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | ||||||||||
A+ | WMQ032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMQ023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | IRF1404 (YOUTAI) IRF1404 (INFIN) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMO96N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJAB55N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMB040N03LG2
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 28.03.2022
Размер: 696.1 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.