CJAC80N03
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
PDFN:%5×6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJAC80N03
N-Channel Power MOSFET
V(BR)DSS
RDS(on)TYP
3.0mΩ@10V
30 V
4.3mΩ@4.5V
ID
PDFN:%5×6-8L
80A
DESCRIPTION
The CJAC80N03 uses advanced trench technology and design to
provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a
wide variety of applications
FEATURES
Battery switch
...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность |  | |
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 21
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | YJD120N04A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | CJU110SN04 (JSCJ) | TO2522L |  |  |  |  |  |  | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC150N03A (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC150N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC140SN04 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC130SN04L (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC130SN04 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC110SN04 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC110N03A (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC110N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAB75N03U (JSCJ) | — | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | YJG100N04A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | WMB018N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMB31430DN (WAYON) | PDFN8L5X6 |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | YJG150N03A (YJ) | — | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG130G04A (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | |||
| A+ | JMTC035N04A (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | CJP140N04 (JSCJ) | TO-220-3 | 1000 шт |  |  |  |  |  | — | — | — |  | — | — | — | ||
| A+ | WMB023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMB017N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |
| A+ | YJG105N03A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.