NCE3095K
NCE3095K
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE3095K uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
Schematic diagram
● VDS =30V,ID =95A
RDS(ON) <4.4mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) < 7.5mΩ @ VGS=4.5V
● High density cell design for ultr...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
- Норма упаковки: 2500 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO252 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 27
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | CJU80N03 (JSCJ) | — |  |  |  | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P- | WMO80N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P- | CRTD055N03L (CRMICRO) | TO252 |
|  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | ||
| P- | IRLR8726TRPBF (JSMICRO) IRLR8726TRPBF (INFIN) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P- | JMTK3005A (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| P- | IRLR8726 (EVVO) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | |
| P- | IRLR8726TRPBF-VB (VBSEMI) | — | 102 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | YJD180N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | YJG130G04A (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | |||
| A+ | YJD120N04A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | IRLR7843 (EVVO) IRLR7843 (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | YJG100N04A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG150N03A (YJ) | — | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | WMM180N03T1 (WAYON) | TO263 |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WMB018N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | JMTC035N04A (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | WMK180N03T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMB108N03T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | CJP140N04 (JSCJ) | TO-220-3 | 1000 шт |  |  |  |  |  | — | — | — |  | — | — | — | ||
| A+ | YJP180G04C (YJ) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMK180N03TS (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | YJG105N03A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| A+ | WMO96N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMB017N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |
| A+ | WMB032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMO150N03T1 (WAYON) | TO252 | в коробках 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMB31430DN (WAYON) | PDFN8L5X6 |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE3095K
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 01.06.2022
Размер: 643.2 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.