YJG60G04HHQ

RoHS YJG60G04HHQ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40V 60A <6.8mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability R...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD120N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ YJG60N04A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ JMTK60N04B (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
A+ JMTK4006A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
A+ JMTK4004A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
A+ JMTG4004A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
A+ JMTG055N04A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0406AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ YJD60N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 5000 шт Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ JMSH0406AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ CJAB65N04 (JSCJ)
 
±
A+ YJG100N04A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
A+ YJG90N04A (YJ)
 
252 шт
 
A+ IRF1404 (YOUTAI)
 

IRF1404 (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG60G04HHQ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40V 60A <6.8mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free ● Part no. with suffix ”Q” means AEC-Q101 qualified Applications ● Power switching application ● Uninterruptible power supply ● DC-DC convertor ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 40 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 12 TA=25℃ TA=100℃ Drain Current 8.4 ID TC=25℃ A 60 42 TC =100℃ Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 240 A EAS 84 mJ 2.7 TA=25℃ TA=100℃ Total Power Dissipation C Unit 1.3 PD TC=25℃ W 73 36 TC =100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55~+175 ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 46 55 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 1.7 2.04 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG60G04HHQ F1 YJG60G04H 5000 10000 100000 13“ reel 1/8 S-D338 Rev.1.0,21-Sep-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG60G04HHQ 

Microsoft Word - YJG60G04HHQ

Дата модификации: 21.09.2023

Размер: 395.9 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    27 декабря 2023
    новость

    SUNCOYJ анонсировал производство новых N-канальных MOSFET N40V для автомобильных приводов

    Современный автомобиль обладает множеством электроприводов, обеспечивающих безопасную и комфортную эксплуатацию. Усилитель рулевого управления, насосы тормозной системы, а также подвески и охлаждения, стеклоподъемники, корректоры фар, управление... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.