YJGD60G04HJQ

SUNCOYJ
RoHS YJGD60G04HJQ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary NMOS(Die1/Die2) ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) 40V 60A ＜7.7mohm General Description ● High density cell design for low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD120N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт — —
A+ JMSH0406AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ YJG60N04A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — — —
A+ JMTK60N04B (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
 — — — —
A+ JMTK4006A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
 — — — —
A+ JMTK4004A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
 — — — —
A+ JMTG4004A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
 — — — —
A+ JMTG055N04A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0406AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ YJD60N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 5000 шт Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 —
A+ CJAB65N04 (JSCJ)
 
— ± — — — — —
A+ WMQ050N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3
 
 — — — — — —
A+ YJG100N04A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
 — —
A+ YJG90N04A (YJ)
 
— 252 шт
 
 — —
A+ IRF1404 (YOUTAI)
 

IRF1404 (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMB032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMQ032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJGD60G04HJQ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary NMOS(Die1/Die2) ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) 40V 60A ＜7.7mohm General Description ● High density cell design for low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ● Industrial and Motor Drive application ● 12V Automotive systems ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol N-Die1/Die2 Unit Drain-source Voltage VDS 40 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 60 TC=25℃ 42 TC=100℃ ID Drain Current A TA=25℃ 10 TA=100℃ 7.6 Pulsed Drain Current A IDM 220 A Avalanche energy B EAS 64 mJ 65 TC=25℃ 32 TC=100℃ Total Power DissipationC PD W TA=25℃ 2.5 TA=100℃ 1.2 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55~+175 ℃ ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 50 60 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 1.9 2.3 Units ℃/W 1/7 S-D334 Rev.1.0,11-Sep-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJGD60G04HJQ 

Microsoft Word - YJGD60G04HJQ

Дата модификации: 11.09.2023

Размер: 420.2 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    27 декабря 2023
    новость

    SUNCOYJ анонсировал производство новых N-канальных MOSFET N40V для автомобильных приводов

    Современный автомобиль обладает множеством электроприводов, обеспечивающих безопасную и комфортную эксплуатацию. Усилитель рулевого управления, насосы тормозной системы, а также подвески и охлаждения, стеклоподъемники, корректоры фар, управление... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)