YJL2312AQ

Yangjie
RoHS YJL2312AQ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) 20V 6.8A ＜18mohm ＜22mohm ＜39mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and current handing capability ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Applications ● PWM applicati...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMR09N02T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — —
A+ CJK8804 (JSCJ)
 
SOT233L
 
 ± — — — — —
A+ JMTL2312A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ AO4404 (YOUTAI)
 
—
 
 — —
A+ CJMN2012 (JSCJ)
 
—
 
 —
A+ IRLML6244TR (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WM02N75M2 (WAYON)
 
SOT233L 1 шт
 
 — — — — — —
A+ CJ8820 (JSCJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 ± — — — — —
A+ WM02DN70M3 (WAYON)
 
SOT236
 
 — — — — — —
A+ WM02DN70A (WAYON)
 
TSSOP-8 — — — — — —
A+ WM02DN110C (WAYON)
 
DFN62X3
 
 — — — — — — —
A+ WM02DN095C (WAYON)
 
DFN62X3
 
 — — — — — — —
A+ WM02DN085C (WAYON)
 
DFN62X3
 
 — — — — — — —
A+ WM02DN080C (WAYON)
 
DFN62X3
 
 — — — — — — —
A+ YJQ2012A (YJ)
 
DFN2020MD6 в ленте 3000 шт
 
 —
A+ YJL2312AL (YJ)
 
— в ленте 3000 шт
 
 —
A+ YJL2312A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJL2312AQ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) 20V 6.8A ＜18mohm ＜22mohm ＜39mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and current handing capability ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Applications ● PWM applications ● Load switch ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V 6.8 TA=25℃ ID Drain Current A 5.4 TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ 27 A 1.25 W 0.8 W PD Total Power Dissipation TA=70℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 100 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJL2312AQ F2 S12· 3000 30000 120000 7“ reel 1/7 S-S3450 Rev.1.1,12-Apr-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJL2312AQ 

Microsoft Word - YJL2312AQ-SOT-23

Дата модификации: 12.04.2022

Размер: 381.8 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    28 марта 2024
    новость

    Склад КОМПЭЛ расширил ассортимент MOSFET производства SUNCO

    Новые серии MOSFET производства SUNCO – одного из мировых лидеров среди производителей дискретных силовых полупроводников – стали доступны для заказа со склада КОМПЭЛ. Каждый пятый мостовой выпрямитель в мире выходит с конвейеров этой китайской... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)