4N65FUMW

UMW R 4N65 NN-沟道功率 MOS 管 Tc=25 Tc=25°°C) ●最大额定值(Tc=25 Absolute Maximum Ratings Tc=25 ●Absolute Ratings(Tc=25 Tc=25°°C) 参数 PARAMETER 漏-源电压 Drain-source Voltage 栅-源电压 gate-source Voltage 漏极电流 Continuous Drain Current TC=25℃ 漏极电流 Continuous Drain Current TC=100℃ 最大脉冲电流 Drain Current -Pulsed ① 耗散功率 Power Dissipation 最高结温 Junction Temperature 存储温...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3-FP TO-220F
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WML80R1K0S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML05N80M3 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML80R720S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ 4NM80G-TN3-T (UTC)
 
в ленте 10 шт
A+ 7N65L (YOUTAI)
 
1 шт
A+ WML10N70C4 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML08N80M3 (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WML06N80M3 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML80R1K5S (WAYON)
 
в линейках 50 шт
A+ WMO90R1K1S (WAYON)
 
TO252 в ленте 500 шт
 
A+ WMO90R1K5S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO80R720S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO80R1K5S (WAYON)
 
TO252 10 шт
A+ WMO10N70EM (WAYON)
 
TO252 в ленте 500 шт
 
A+ WMO09N65C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 10 шт
 
A+ WMO08N80M3 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO08N70C4 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO08N65C4 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WML90R1K5S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML90R1K1S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMO07N65C4 (WAYON)
 
TO252 1 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
UMW R 4N65 NN-沟道功率 MOS 管 Tc=25 Tc=25°°C) ●最大额定值(Tc=25 Absolute Maximum Ratings Tc=25 ●Absolute Ratings(Tc=25 Tc=25°°C) 参数 PARAMETER 漏-源电压 Drain-source Voltage 栅-源电压 gate-source Voltage 漏极电流 Continuous Drain Current TC=25℃ 漏极电流 Continuous Drain Current TC=100℃ 最大脉冲电流 Drain Current -Pulsed ① 耗散功率 Power Dissipation 最高结温 Junction Temperature 存储温度 Storage Temperature 单脉冲雪崩能量 Single Pulse Avalanche Energy ② TO-220/220F 符号 SYMBOL 额定值 VALUE 单位 UNIT VDS 650 V VGS ±30 V ID 4.0 A ID 2.5 A IDM 16 A Ptot TO-220:100 TO-220F:33 W Tj 150 °C TSTG -55-150 °C EAS 128 mJ 50V VDS=6 =65 8Ω RDS(ON)=2. =2.8 ID=4.0A ° Tc=25 C) ●电特性(Tc=25 Tc=25 Electronic Characteristics Tc=25°°C) Characteristics(Tc=25 ●Electronic 参数 PARAMETER 符号 SYMBOL 测试条件 TEST CONDITION 最小值 MIN 漏-源击穿电压 Drain-source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V, ID=250µA 650 击穿电压温度系数 Breakdown Voltage Temperature Coefficient ΔBVDSS/ ΔTj ID=250uA, Referenced to 25°C 栅极开启电压 Gate Threshold Voltage VGS(TH) VGS=VDS, ID=250µA 漏-源漏电流 Drain-source Leakage Current IDSS 跨导 Forward Transconductance gfs www.umw-ic.com 典型值 TYP 最大值 MAX 单位 UNIT V 0.6 4.0 V VDS =650V, VGS =0V, Tj=25°C 25 µA VDS =520V, VGS =0V, Tj=125°C 250 µA VDS =40V, ID=2.0A ③ 1 2.0 V/°C 2.5 S 友台半导体有限公司 PDF
Документация на 4N65FUMW 

Дата модификации: 11.03.2022

Размер: 535.4 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.