AO6400UMW

UMW R AO6400 N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY ● VDS (V) =30V ● ID = 6 A D 1 6 D D 2 5 D G 3 4 S ● RDS(ON) < 38mΩ (VGS =10V) ● RDS(ON) < 50mΩ (VGS =4.5V) FEATURES ● Low On-Resistance SOT23-6 APPLICATIONS ● DC/DC Converters, High Speed Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-Source Voltage VDS 30 Gate-Sourc...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJJ09N03A (YJ)
 
в ленте 3000 шт
A+ YJJ3400A (YJ)
 
 
A+ YJL3404A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ CJ3404 R4 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
±
A+ AO4466 (YOUTAI)
 
200 шт
 
A+ AO4406A (YOUTAI)
 
SOP-8 в ленте 20 шт
 
A+ CJQ4410 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ CJMN3010 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJK3400AH (JSCJ)
 
SOT233L 5 шт
 
±
A+ YJQ3400A (YJ)
 
DFN2020-6L
 
A+ YJL3404AQ (YJ)
 
 
A+ YJL3400AQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
A+ YJL3400A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ JMTL3404A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ NCE3010S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ±
A+ JMTL3400A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ CJ3404 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
A+ WMS10N04TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ WMS10DN03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ WMR12N03T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
A+ WM03N115A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
 
A+ WMR07N03T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
A+ YJS12N03A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
A+ YJS10N04A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 5 шт
 
A+ FK8V03040L (PAN)
 
WMini8-F1
 
Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 33V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.