UMW4N65F

UMW R 4N65 NN-沟道功率 MOS 管 Tc=25 Tc=25°°C) ●最大额定值(Tc=25 Absolute Maximum Ratings Tc=25 ●Absolute Ratings(Tc=25 Tc=25°°C) 参数 PARAMETER 漏-源电压 Drain-source Voltage 栅-源电压 gate-source Voltage 漏极电流 Continuous Drain Current TC=25℃ 漏极电流 Continuous Drain Current TC=100℃ 最大脉冲电流 Drain Current -Pulsed ① 耗散功率 Power Dissipation 最高结温 Junction Temperature 存储温...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3-FP TO-220F
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WML80R1K0S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML05N80M3 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML80R720S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ 4NM80G-TN3-T (UTC)
 
в ленте 10 шт
A+ 7N65L (YOUTAI)
 
1 шт
A+ WML10N70C4 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML08N80M3 (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WML06N80M3 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML80R1K5S (WAYON)
 
в линейках 50 шт
A+ WMO90R1K1S (WAYON)
 
TO252 в ленте 500 шт
 
A+ WMO90R1K5S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO80R720S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO80R1K5S (WAYON)
 
TO252 10 шт
A+ WMO10N70EM (WAYON)
 
TO252 в ленте 500 шт
 
A+ WMO09N65C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 10 шт
 
A+ WMO08N80M3 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO08N70C4 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO08N65C4 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WML90R1K5S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML90R1K1S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMO07N65C4 (WAYON)
 
TO252 1 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
UMW R 4N65 NN-沟道功率 MOS 管 Tc=25 Tc=25°°C) ●最大额定值(Tc=25 Absolute Maximum Ratings Tc=25 ●Absolute Ratings(Tc=25 Tc=25°°C) 参数 PARAMETER 漏-源电压 Drain-source Voltage 栅-源电压 gate-source Voltage 漏极电流 Continuous Drain Current TC=25℃ 漏极电流 Continuous Drain Current TC=100℃ 最大脉冲电流 Drain Current -Pulsed ① 耗散功率 Power Dissipation 最高结温 Junction Temperature 存储温度 Storage Temperature 单脉冲雪崩能量 Single Pulse Avalanche Energy ② TO-220/220F 符号 SYMBOL 额定值 VALUE 单位 UNIT VDS 650 V VGS ±30 V ID 4.0 A ID 2.5 A IDM 16 A Ptot TO-220:100 TO-220F:33 W Tj 150 °C TSTG -55-150 °C EAS 128 mJ 50V VDS=6 =65 8Ω RDS(ON)=2. =2.8 ID=4.0A ° Tc=25 C) ●电特性(Tc=25 Tc=25 Electronic Characteristics Tc=25°°C) Characteristics(Tc=25 ●Electronic 参数 PARAMETER 符号 SYMBOL 测试条件 TEST CONDITION 最小值 MIN 漏-源击穿电压 Drain-source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V, ID=250µA 650 击穿电压温度系数 Breakdown Voltage Temperature Coefficient ΔBVDSS/ ΔTj ID=250uA, Referenced to 25°C 栅极开启电压 Gate Threshold Voltage VGS(TH) VGS=VDS, ID=250µA 漏-源漏电流 Drain-source Leakage Current IDSS 跨导 Forward Transconductance gfs www.umw-ic.com 典型值 TYP 最大值 MAX 单位 UNIT V 0.6 4.0 V VDS =650V, VGS =0V, Tj=25°C 25 µA VDS =520V, VGS =0V, Tj=125°C 250 µA VDS =40V, ID=2.0A ③ 1 2.0 V/°C 2.5 S 友台半导体有限公司 PDF
Документация на 4N65FUMW 

Дата модификации: 11.03.2022

Размер: 535.4 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.