CS130N03A4
Silicon N-Channel
Power MOSFET
R
○
CS130N03 A4
General Description :
VDSS
30
V
Enhanced
ID( Silicon limited current )
130
A
VDMOSFETs, is obtained by advanced Trench Technology
ID( Package limited current )
60
A
which reduce the conduction loss, improve switching
P D(TC=25℃)
83
W
performance and enhance the avalanche energy. The transistor
RDS(ON)Typ
1.9
mΩ
CS130N03
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO252 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 29
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | WMO150N03T1 (WAYON) | TO252 | в коробках 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | CJU100N03S (JSCJ) | TO2522L | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
P- | YJD180N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
P- | WMO96N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
P- | NCE30H15K (NCE) | TO252 | ± | — | — | — | — | ||||||||||
P- | IRLR7843TRPBF (JSMICRO) IRLR7843TRPBF (INFIN) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P- | IRLR7843 (EVVO) IRLR7843 (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
P- | JMTK3003A (JIEJIE) | TO252 | 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSH0401AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | TSM025NB04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | TSM025NB04LCR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJP180G04C (YJ) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMSH0402AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSH0402BGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | WMB018N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | TQM025NB04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | TSM018NB03CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | CJAC130SN04 (JSCJ) | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CJP180N03 (JSCJ) | TO2203L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAC200SN04 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMGG020V04A (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CJAC150N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAC140SN04 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAC130SN04L (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMB31430DN (WAYON) | PDFN8L5X6 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJG200G04AR (YJ) | — | 1 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG150N03A (YJ) | — | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG130G04A (YJ) | — | Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | |||||||||||||
A+ | CJAC150N03A (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.