CS130N03A4

Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS130N03 A4 General Description : VDSS 30 V Enhanced ID( Silicon limited current ) 130 A VDMOSFETs, is obtained by advanced Trench Technology ID( Package limited current ) 60 A which reduce the conduction loss, improve switching P D(TC=25℃) 83 W performance and enhance the avalanche energy. The transistor RDS(ON)Typ 1.9 mΩ CS130N03 ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 29

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMO150N03T1 (WAYON)
 
TO252 в коробках 2500 шт
 
P- CJU100N03S (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
±
P- YJD180N03A (YJ)
 
TO252 2500 шт
P- WMO96N03T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- NCE30H15K (NCE)
 
TO252
 
±
P- IRLR7843TRPBF (JSMICRO)
 

IRLR7843TRPBF (INFIN)
 
P- IRLR7843 (EVVO)
 

IRLR7843 (INFIN)
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- JMTK3003A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
A+ JMSH0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ TSM025NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ TSM025NB04LCR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ YJP180G04C (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ JMSH0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH0402BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ TQM025NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ TSM018NB03CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ CJAC130SN04 (JSCJ)
 
 
A+ CJP180N03 (JSCJ)
 
TO2203L
 
±
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
 
±
A+ JMGG020V04A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
A+ CJAC150N03 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC140SN04 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC130SN04L (JSCJ)
 
 
±
A+ WMB31430DN (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ YJG200G04AR (YJ)
 
1 шт
 
A+ YJG150N03A (YJ)
 
в ленте 5000 шт
 
A+ YJG130G04A (YJ)
 
 
Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CJAC150N03A (JSCJ)
 
 
±

Файлы 1

показать свернуть
Документация на CS130N03A4 

产品特点:

Дата модификации: 19.05.2020

Размер: 637.9 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.