WMO96N03T1

WMO96N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO96N03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features  G TO-252 VDS= 30 V, ID = 96 A RDS(on) < 4mΩ @ VGS = 10 V S RDS(on) < 6mΩ @ VGS = 4.5V  Green Device Available  Low Gate Charge  A...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 27

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJD180N03A (YJ)
 
TO252 2500 шт
P- CJU110N03 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
P- CRTD045N03L (CRMICRO)
 
TO252 20 шт
P- CJU100N03S (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
±
P- CS130N03A4 (CRMICRO)
 
TO252
P- NCE3080KA (NCE)
 
TO252
 
±
P- NCE30H15K (NCE)
 
TO252
 
±
P- CRTD030N03L (CRMICRO)
 
TO252
P- IRFR3709Z (EVVO)
 

IRFR3709Z (INFIN)
TO252 2500 шт
 
A+ YJD120N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ JMTC035N04A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ YJG150N03A (YJ)
 
в ленте 5000 шт
 
A+ IRLR7843 (EVVO)
 

IRLR7843 (INFIN)
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ YJG130G04A (YJ)
 
 
Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ IRF1404 (YOUTAI)
 

IRF1404 (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMO150N03T1 (WAYON)
 
TO252 в коробках 2500 шт
 
A+ CJP140N04 (JSCJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
A+ NCE3095K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ WMB032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB108N03T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ YJG105N03A (YJ)
 
PDFN568 в ленте 5000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ WMK180N03T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK180N03TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ YJP180G04C (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB017N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
A+ WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ YJG100N04A (YJ)
 
PDFN568 в ленте 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.