CJU100N03S
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJU100N03S
N-Channel Power MOSFET
4.7mΩ@10V
30V
TO-252-2L
ID
RDS(on)TYP
V(BR)DSS
100 A
7.2mΩ@4.5V
DESCRIPTION
The CJU100N036 uses advanced trench technology and design
to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a
wide variety of applications
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
2
...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO2522L
- Норма упаковки: 2500 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO2522L | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 40
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P= | WMO80N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P= | NCE3065K (NCE) | TO252 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P= | CRTD055N03L (CRMICRO) | TO252 |
|  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | ||
| P= | YJD50N03A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |  | — | |
| P- | CRTD045N03L (CRMICRO) | TO252 | 20 шт |
|  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | |
| P- | YJD180N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| P- | YJD80N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |  | — | |
| P- | WMO150N03T1 (WAYON) | TO252 | в коробках 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P- | WMO55N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P- | WMO96N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| P- | CS130N03A4 (CRMICRO) | TO252 |
|  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | ||
| P- | JMTK3002B (JIEJIE) | TO252 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| P- | NCE065N30K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — | — | — |  | — | — | — | ||
| P- | IRLR8743TRPBF-VB (VBSEMI) | — | в ленте 320 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | JMTK3003A (JIEJIE) | TO252 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| P- | CRTD030N03L (CRMICRO) | TO252 |
|  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | ||
| P- | CS90N03A4 (CRMICRO) | TO252 |
|  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | ||
| P- | IRLR7843TRPBF (JSMICRO) IRLR7843TRPBF (INFIN) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P- | IRLR8743 (EVVO) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| P- | IRLR8743TRPBF (JSMICRO) IRLR8743TRPBF (INFIN) | — | в ленте 250 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | IRLR7843 (EVVO) IRLR7843 (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| P- | NCE30H15K (NCE) | TO252 |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | |||
| P- | NCE3080KA (NCE) | TO252 |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | |||
| A+ | YJG100N04A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJD120N04A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | YJG200G04AR (YJ) | — | 1 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG150N03A (YJ) | — | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG130G04A (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | |||
| A+ | JMTC035N04A (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | WMB017N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |
| A+ | IRF1404 (YOUTAI) IRF1404 (INFIN) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | NCE3095K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMB108N03T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | CJP140N04 (JSCJ) | TO-220-3 | 1000 шт |  |  |  |  |  | — | — | — |  | — | — | — | ||
| A+ | YJP180G04C (YJ) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMK180N03T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | YJG105N03A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| A+ | WMK180N03TS (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMB018N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMB032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.