AO3400

Hottech
AO3400 LOW VOLTAGE MOSFET (N-CHANNEL) FEATURES Ultra low on-resistance:VDS=30V,RDS(ON)≤28mΩ@VGS=10V,ID=5.6A For PWM application For Load switch application Surface Mount device     SOT-23 MECHANICAL DATA     Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Pa...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMR07N03T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ JMTL3404A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ IRLML2803TRPBF-VB (VBSEMI)
 

IRLML2803TRPBF (VBSEMI) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ IRLML2030TRPBF-VB (VBSEMI)
 

IRLML2030TRPBF (VBSEMI) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ YJS10N04A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — —
A+ YJL3404A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 —
A+ YJL3400A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ IRF7509 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ IRF7470 (EVVO)
 

IRF7470 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт — — — — —
A+ NCE3010S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
A+ JMTP130N04A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
A+ WM03DN85A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
A+ SI2318A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ JMTL3400A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ IRLML0030 (KLS)
 
SOT-23-3 1 шт
 
 — —
A+ CJ3400A (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ WMT07N03T1 (WAYON)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт — — —
A+ WM03N58M2 (WAYON)
 
SOT233L в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMS10N04TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ WM03N58M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — — — —
A+ WMS10DN03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ WM03N57M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WM03N115A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ WM03N105A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
AO3400 LOW VOLTAGE MOSFET (N-CHANNEL) FEATURES Ultra low on-resistance:VDS=30V,RDS(ON)≤28mΩ@VGS=10V,ID=5.6A For PWM application For Load switch application Surface Mount device     SOT-23 MECHANICAL DATA     Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-source voltage VDS 30 V Gate-source voltage VGS ±12 V 5.6 A TA=25°C ID Continuous drain current TA=70°C ID 4.9 A Pulsed drain current IDM* 30 A 1.40 W TA=25°C PD Power dissipation PD TA=70°C 0.9 W RθJA 125 °C/W Thermal resistance from Junction to ambient 150 °C Junction temperature TJ -55 ~+150 TSTG °C Storage temperature ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions 30 V V(BR)DSS* Drain-Source breakdown voltage VGS=0V, ID=250μA IDSS* 1 uA VDS=30V, VGS=0V Zero gate voltage drain current IGSS* ±100 nA VDS=0V, VGS=±12V Gate-body leakage current 0.9 1.5 V VGS(th)* 0.6 Gate-threshold voltage VDS=VGS, ID=250μA 21 28 mΩ VGS=10V, ID=5.6A Drain-source on-resistance RDS(ON)* 23 31 mΩ VGS=4.5V, ID=5A 28 45 mΩ VGS=2.5V, ID=4A 30 A ID(ON)* On-State Drain Current VDS=5V, VGS=4.5V 33 S gFS VDS=5V, ID=5.6A Forward transconductance Rg 1.5 3 4.5 Gate resistance VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz Ω pF Ciss 630 Input capacitance pF VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz Coss 75 Output capacitance pF Crss 50 Reverse transfer capacitance 3 nS t Turn-on delay time d(on) tr 2.5 nS VDS=15V, VGS=10V, Turn-on rise time 25 nS RGEN=3Ω, RL=2.6Ω td(off) Turn-off delay time tf 4 nS Turn-off fall time 6 7 nC Qg Total gate charge 1.3 nC VDS=15V,VGS=4.5V,ID=5.6A Qgs Gate-source charge 1.8 nC Qgd Gate-drain charge VSD 0.7 1 V Diode forward voltage IS=1A, VGS=0V IS 2 A Diode forward current trr 8.5 nS IF=5.6A, dI/dt=100A/ms Body Diode Reverse Recovery Time Body Diode Reverse Recovery Charge Qrr 2.6 nC IF=5.6A, dI/dt=100A/ms * Pulse test ; Pulse width ≤300µs, Duty cycle ≤ 0.5% . ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD E-mail:hkt@heketai.com 1/6 PDF
Документация на AO3400 

Subject:

Дата модификации: 12.03.2019

Размер: 696.5 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)