IRLML0030

Hottech
IRLML0030 MOSFET (N-CHANNEL) FEATURES  VDS=30V, ID=5.3A, RDS(ON)<27mΩ@VGS=10V  Fast switching  Ultra Low On-Resistance  Surface Mount device SOT-23 MECHANICAL DATA     Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Drain-source voltage Gate-source...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMR07N03T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ IRF7509 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ IRLML2803TRPBF-VB (VBSEMI)
 

IRLML2803TRPBF (VBSEMI) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ IRLML2030TRPBF-VB (VBSEMI)
 

IRLML2030TRPBF (VBSEMI) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ YJS10N04A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — —
A+ YJL3404A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 —
A+ YJL3400C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ YJL3400A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ YJL05N04C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ YJJD05N03A (YJ)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ YJJ09N03A (YJ)
 
— в ленте 3000 шт —
A+ WM03DN85A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
A+ NCE3010S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
A+ IRF7470 (EVVO)
 

IRF7470 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт — — — — —
A+ JMTP130N04A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
A+ JMTL3404A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ JMTL3400A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ IRLML0030 (KLS)
 
SOT-23-3 1 шт
 
 — —
A+ WMS10N04TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ WM03N58M2 (WAYON)
 
SOT233L в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMS10DN03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ WM03N58M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — — — —
A+ WM03N105A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
IRLML0030 MOSFET (N-CHANNEL) FEATURES  VDS=30V, ID=5.3A, RDS(ON)<27mΩ@VGS=10V  Fast switching  Ultra Low On-Resistance  Surface Mount device SOT-23 MECHANICAL DATA     Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Drain-source voltage Gate-source voltage TA=25°C Continuous drain current TA=70°C Pulsed drain current (Note 1) TA=25°C Power dissipation TA=70°C Linear Derating Factor Thermal resistance from Junction to ambient Storage and Junction temperature Symbol VDS VGS ID IDM PD RθJA* TJ,TSTG Value 30 ±20 5.3 4.3 21 1.3 0.8 0.01 100 -55 ~+150 Unit V V A A W W/°C °C/W °C *Surface mounted on 1 in square Cu board ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Min Typ Max Unit Conditions V(BR)DSS 30 V VGS=0V, ID=250μA Drain-Source breakdown voltage 1 Zero gate voltage drain current IDSS μA VDS=24V, VGS=0V 150 VDS=24V, VGS=0V,Tj=125°C Gate-body leakage current IGSS ±100 nA VDS=0V, VGS=±20V Gate-threshold voltage (note 1) VGS(th) 1.3 1.7 2.3 V VDS=VGS, ID=250μA 33 40 mΩ VGS=4.5V, ID=4.2A Drain-source on-resistance(note 1) RDS(ON) 22 27 mΩ VGS=10V, ID=5.2A Internal Gate Resistance RG 2.3 Ω Forward transconductance(note 1) gFS 9.5 S VDS=10V, ID=5.2A Input capacitance Ciss 382 pF VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz Output capacitance Coss 84 pF Reverse transfer capacitance Crss 39 pF Turn-on delay time td(on) 5.2 nS VDD=15V,ID=1A, Turn-on rise time tr 4.4 nS RG=6.8Ω,VGS=4.5V Turn-off delay time td(off) 7.4 nS Turn-off fall time tf 4.4 nS Qg Total gate charge 2.6 nC Qgs VDS=15V,VGS=4.5V,ID=5.2A 0.8 nC Gate-source charge Qgd Gate-drain charge 1.1 nC Diode forward current(Body Diode) IS 1.6 A Pulsed Source Current(Body Diode) ISM 21 A Diode forward voltage (note 1) VSD 1.2 V IS=1.6A, VGS=0V,Tj=25°C Reverse Recovery Time trr 11 17 nS TJ=25°C,VR=15V,IF=1.6A, Reverse Recovery Charge Qrr 4.0 6.0 nC di/dt=100A/μs Note:1. Pulse test ; Pulse width ≤400µs, Duty cycle ≤ 2% . ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD E-mail:hkt@heketai.com 1/6 PDF
Документация на IRLML0030 

Дата модификации: 24.09.2019

Размер: 817.5 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)