JMGG031V06A

JIEJIE
JMGG031V06A Description JMG N-channel Advanced Mode Power MOSFET Features Application  60V,160A RDS(ON)<3mΩ @ VGS = 10V  Load Switch  PWM Application  Power Management  Advanced Split Gate Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead Free PDFN5x6-8L 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMK025N06HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ NCE60H15AT (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
 — — —
A+ WML025N06HG2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMK023N08HGS (WAYON)
 
— 1 шт
 
 — — — — —
A+ WMK020N06HG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMB014N06LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMM023N08HGS (WAYON)
 
TO263
 
 — — — — —
A+ YJG175G06AR (YJ)
 
— в ленте 5000 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
JMGG031V06A Description JMG N-channel Advanced Mode Power MOSFET Features Application  60V,160A RDS(ON)<3mΩ @ VGS = 10V  Load Switch  PWM Application  Power Management  Advanced Split Gate Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead Free PDFN5x6-8L 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Outline Package Reel Size Reel (pcs) Per Carton (pcs) G031V06A JMGG031V06A TAPING PDFN5x6-8L 13” 5000 50000 Absolute Maximum Ratings (TC=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage 60 V VGSS Gate-Source Voltage ±25 V TC = 25℃ 160 A TC = 100℃ 104 A 640 A 196 mJ 125 W 1 ℃/W -55 to +150 ℃ ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current note1 EAS Single Pulsed Avalanche Energy PD Power Dissipation RθJC TJ, TSTG note2 TC = 25℃ Thermal Resistance, Junction to Case Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics Co.,Ltd. Version :1.2 -1- PDF
Документация на JMGG031V06A 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 15.12.2022

Размер: 352.7 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    17 мая 2024
    новость

    Компоненты JIEJIE для приводов бесколлекторных электродвигателей

    Бесщеточный двигатель постоянного тока (BLDC) преодолевает неискоренимый недостаток коллекторного двигателя постоянного тока – трение щеток. Вместо них используется вращающееся магнитное поле, создаваемое обмотками статора, чьи фазы поочередно... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)