JMTK60N04B

JIEJIE
JMTK60N04B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Applications Features 40V, 60A RDS(ON) < 7.0mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) < 10.5mΩ @ VGS = 4.5V  Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge   Load Switch  PWM Application  Power Management 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Lead Free   D G S TO-252-3L(DPAK) Top View Marking and Pin As...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD120N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт — —
A+ YJG60N04A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — — —
A+ JMTK4006A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
 — — — —
A+ JMTK4004A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
 — — — —
A+ JMTG4004A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
 — — — —
A+ JMTG055N04A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0406AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ YJD60N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 5000 шт Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 —
A+ JMSH0406AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ CJAB65N04 (JSCJ)
 
— ± — — — — —
A+ YJG100N04A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
 — —
A+ YJG90N04A (YJ)
 
— 252 шт
 
 — —
A+ IRF1404 (YOUTAI)
 

IRF1404 (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMB032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMQ032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTK60N04B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Applications Features 40V, 60A RDS(ON) < 7.0mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) < 10.5mΩ @ VGS = 4.5V  Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge   Load Switch  PWM Application  Power Management 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Lead Free   D G S TO-252-3L(DPAK) Top View Marking and Pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Outline Package JMTK60N04B JMTK60N04B TAPING TO-252-3L Reel Size Reel(pcs) 13" 2500 Per Carton (pcs) 25000 Absolute Maximum Ratings (@ TC = 25°C unless otherwise specified) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-to-Source Voltage 40 V VGS Gate-to-Source Voltage ±20 V ID IDM EAS PD Continuous Drain Current TC = 25°C 60 TC = 100°C 38 Pulsed Drain Current (1) Single Pulsed Avalanche Energy Power Dissipation 240 A (2) 100 mJ TC = 25°C 114 W (3) RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 37 RθJC Thermal Resistance, Junction to Case 1.1 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range -55 to 150 JieJie Microelectronics Co., Ltd A 1 °C/W °C Version:1.2 PDF
Документация на JMTK60N04B 

Дата модификации: 11.04.2023

Размер: 979.4 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)