CJS8820

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TSSOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJS8820 Dual N-Channel MOSFET TSSOP8 V(BR)DSS ID RDS(on)TYP 14mΩ@10 V 20V 16mΩ @4.5V 7A 18 mΩ@3.8V 22mΩ @2.5V DESCRIPTION The CJS8820 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-direct...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TSSOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJS8205B (YJ)
 
1 шт
 
A+ CJCD2004 (JSCJ)
 
 
±
A+ LDN2012DT2AG (LRC)
 
DFN2030
 
±
A+ CJS8810 (JSCJ)
 
TSSOP-8 10 шт ±
A+ CJS8804 (JSCJ)
 
TSSOP-8 ±
A+ CJL8820 (JSCJ)
 
SOT236L
 
±
A+ CJL8810 (JSCJ)
 
SOT236L ±
A+ CJCD2007 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJCD2005 (JSCJ)
 
 
±
A+ LDN8205FT1G (LRC)
 
SOT26
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.