CJU4828

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU4828 N-Channel Power MOSFET RDS(on)TYP V(BR)DSS ID 37mΩ@10V 60V TO-252-2L 4.5A 60mΩ@4.5V DESCRIPTION The CJU4828 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE 2 1 3 wide variety of applications. ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJB110SN10

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2522L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJM05N06A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 5 шт — —
A+ YJJ05N06A (YJ)
 
—
 
 — —
A+ WMR07N06TS (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ S-LN2610ST1G (LRC)
 
—
 
 ± — — — — — —
A+ NCE6009AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
A+ NCE6008AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 1200 шт ± — — — —
A+ NCE6005AN (NCE)
 
SOT236L
 
 ± — — — —
A+ YJS4438A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 12000 шт
 
 — —
A+ IRLL024N (EVVO)
 

IRLL024N (INFIN) 		SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ YJL05N06AL (YJ)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ IRF7478 (EVVO)
 

IRF7478 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ IRF7351 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — —
A+ NCE6005AR (NCE)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт ± — — — —
A+ STN4438 (YOUTAI)
 
SOP-8 3000 шт
 
 ± — — —
A+ WMT07N06TS (WAYON)
 
SOT-223 в ленте 3000 шт — — —
A+ WMS09N06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMS08N06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ WMS08DN06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ LN8260DT1AG (LRC)
 
DFN30308B
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU4828 N-Channel Power MOSFET RDS(on)TYP V(BR)DSS ID 37mΩ@10V 60V TO-252-2L 4.5A 60mΩ@4.5V DESCRIPTION The CJU4828 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE 2 1 3 wide variety of applications. FEATURES  High density cell design for ultra low RDS(on)  Special process technology for high ESD capability  Fully characterized avalanche voltage and current  Excellent package for good heat dissipation  Good stability and uniformity with high EAS  Power switching application APPLICATIONS  Hard switched and high frequency circuits  Uninterruptible power supply MARKING EQUIVALENT CIRCUIT U4828= Device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device XXXX=Code MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current ID 4.5 A Pulsed Drain Current IDM 20 A 18 mJ PD 1.25 W RθJA 100 ℃/W Junction Temperature TJ 150 ℃ Storage Temperature Range Tstg -55 ~+150 ℃ Lead Temperature for Soldering Purposes(1/8’’ from case for 10s) TL 260 ℃ Single Pulsed Avalanche Energy EAS Power Dissipation Thermal Resistance from Junction to Ambient (1) (1).EAS condition: VDD=50V,L=0.5mH, RG=25Ω, Starting TJ = 25°C www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.1 PDF
Документация на CJU4828 

Microsoft Word - CJQ4828 SOP8 A.doc

Дата модификации: 04.11.2020

Размер: 1.83 Мб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)