MMBT5551 SOT-23 L
- Группа: Биполярный транзистор
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьТип проводимости и конфигурация | ||
---|---|---|
Рассеиваемая мощность | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
Ток коллектора | ||
Граничная рабочая частота | ||
Коэффициент усиления по току |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 14
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Пара | Pрасс | UКЭ(макс) | UКЭ(пад) | IК(макс) | F гран | h 21 | R1 | R2 | Примечание | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | 2N5551 (DC) 2N5551 (SAMSUNG) | TO-92-3 | 1000 шт | — | — | — | — | |||||||||
A+ | MMBT5551 (JSCJ) MMBT5551 (DIODES) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | |||||||||
A+ | MMBT5551 (YOUTAI) MMBT5551 (DIODES) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | |||||||||
A+ | MMBT5551 200-300 (JSCJ) | SOT-23-3 | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | MMBT5551 SOT-23 H (JSCJ) | SOT-23-3 | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | MMST5551 (JSCJ) | — | 3000 шт | — | — | — | — | |||||||||
A+ | 2N5551-TA (JSCJ) | TO-92-3 | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CXT5551 (JSCJ) | — | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CXT5551 120-180 (JSCJ) | SOT-89-3L | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CZT5551 80-250 (JSCJ) | SOT-223 | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CZT5551 SOT-223 (JSCJ) | SOT-223 | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | AD-CZT5551 (JSCJ) | SOT-223 | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | MMBT5551W (SHIKUES) | SOT-323-3 | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | PZT5551G-B-AA3-R (UTC) | — | 10 шт | — | — | — | — |
Файлы
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.