L2SK801LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Small Signal MOSFET 310 mAmps, 60 Volts L2SK801LT1G S-L2SK801LT1G N–Channel SOT–23 3 • Pb−Free Package is Available. • S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 2 MAXIMUM RATINGS Rating CASE 318, STYLE 21 SOT– 23 (TO–236AB) Symbol Value Unit Drain–Source Volt...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT233
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Рассеиваемая мощность
  Примечание: Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ 2N7002 (YJ)
 

2N7002 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N7002KW (YJ)
 

2N7002KW (ONS-FAIR)
A+ 2N7002KC (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ TQM2N7002KCX RFG (TSC)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ TQM2N7002KCU RFG (TSC)
 
SOT-323-3 3000 шт
A+ TSM2N7002KCX RFG (TSC)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ AD-2N7002KW (JSCJ)
 
SOT-323-3
 
±
A+ AD-2N7002K (JSCJ)
 
SOT-23-3 ±
A+ 2N7002KW SOT-323 (JSCJ)
 
SOT-323-3
A+ CJBA7002K (JSCJ)
 
DFN10063 в ленте 300 шт
 
±
A+ 2N7002K SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3 2460 шт
 
±
A+ 2N7002K 72K (JSCJ)
 
в ленте 300 шт
 
A+ 2N7002C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N7002KCQ (YJ)
 
 
A+ 2N7002KCWQ (YJ)
 
SOT-323-3 2600 шт
A+ 2N7002KCE (YJ)
 
SOT-523 в ленте 960 шт
 
A+ 2N7002DW (EVVO)
 

2N7002DW (ONS-FAIR)
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N7002K (JSCJ)
 

2N7002K (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N7000 (DC)
 

2N7000 (ONS-FAIR)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ BSS138KWJ (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BSS138KJ (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N7002W (YJ)
 

2N7002W (ONS-FAIR)
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
A+ 2N7002KCW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт

Файлы 1

показать свернуть
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Small Signal MOSFET 310 mAmps, 60 Volts L2SK801LT1G S-L2SK801LT1G N–Channel SOT–23 3 • Pb−Free Package is Available. • S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 2 MAXIMUM RATINGS Rating CASE 318, STYLE 21 SOT– 23 (TO–236AB) Symbol Value Unit Drain–Source Voltage VDSS 60 Vdc Drain–Gate Voltage (RGS = 1.0 MΩ) VDGR 60 Vdc Drain Current – Continuous TC = 25°C (Note 1.) – – Continuous Pulse t < 10us ID 310 mAdc IDM 1200 VGS VGSM ±20 ±40 Vdc Vpk Symbol Max Unit PD 225 1.8 mW mW/°C Thermal Resistance, Junction to Ambient RθJA 556 °C/W Total Device Dissipation Alumina Substrate,(Note 3.) TA = 25°C Derate above 25°C PD 300 mW mW/°C Thermal Resistance, Junction to Ambient RθJA 417 °C/W Drain TJ, Tstg –ā55 to +150 °C 3 Gate–Source Voltage – Continuous – Non–repetitive (tp ≤ 50 µs) 310 mAMPS 60 VOLTS R DS(on) = 1.5 W V GS(th) = 1.8 V N - Channel 3 THERMAL CHARACTERISTICS Junction and Storage Temperature 2.4 1. The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain current. 2. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 3. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.025 in 99.5% alumina. 1 2 MARKING DIAGRAM & PIN ASSIGNMENT 801 1 M Characteristic Total Device Dissipation FR–5 Board (Note 2.) TA = 25°C Derate above 25°C 2 Gate Source 801 M = Device Code = Month Code ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping L2SK801LT1G S-L2SK801LT1G 801 3000 Tape & Reel L2SK801LT3G S-L2SK801LT3G 801 10000 Tape & Reel Rev .O 1/4 PDF
Документация на L2SK801LT1G 

Дата модификации: 21.08.2012

Размер: 167.5 Кб

4 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    27 марта 2025
    статья

    BIC-2200 – двунаправленный программируемый источник питания от MEAN WELL

    Сергей Миронов (КОМПЭЛ) Инновационные решения в энергетике и электронике, такие как электротранспорт, «зеленая» энергетика, распределенные энергосистемы, требуют питания с возможностью рекуперации энергии. Эту задачу призваны решать... ...читать

    16 апреля 2024
    новость

    На склад КОМПЭЛ поступили популярные оптические датчики EverLight

    ИК–приемники, фототранзисторы и фотодиоды производства компании EverLight стали доступны для заказа со склада КОМПЭЛ. Эти компоненты широко применяются при управлении бытовыми приборами, а также используются в различных датчиках, реагирующих... ...читать

    08 сентября 2020
    статья

    Гибридные конденсаторы Panasonic: взять лучшее от электролитов и полимеров

    Вячеслав Гавриков (г. Смоленск) Гибридные конденсаторы представляют особый интерес для пользователей. Они унаследовали от полимерных конденсаторов такие достоинства как устойчивость к импульсам тока, повышенную надежность и низкое собственное... ...читать

    03 сентября 2014
    новость

    Многослойные SMD варисторы серии VR от Yageo

    Одним из продуктов YAGEO, предлагаемых для разработчиков электроники, являются многослойные чип–варисторы (MLCV, MultiLayer Chip Varistor). Чип–варисторы VR – это полупроводниковые резисторы с нелинейной вольт–амперной... ...читать

    12 июня 2013
    статья

    Чип- и патч- спешат на помощь: ВЧ-компоненты Yageo для беспроводных систем

    Тайваньская компания Yageo Corporation известна главным образом как разработчик и изготовитель пассивных электронных компонентов: резисторов, электролитических и керамических конденсаторов, дросселей. Значительное внимание уделяется элементам для... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.