LMBT5551LT1G
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
High Voltage Transistors
FEATURE
ƽ
We declare that the material of product
compliance with RoHS requirements.
LMBT5550LT1G
LMBT5551LT1G
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Device
Marking
Shipping
LMBT5550LT1G
M1F
3000/Tape&Reel
LMBT5550LT3G
M1F
10000/Tape&Reel
LMBT5551LT1G
G1
3000/Tape&Reel
LMBT5551LT3G
G1
10000/Tape&Reel
3
1
2
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Серия: LMBT5551
- Корпус: —
- Норма упаковки: 150 шт.
Технические характеристики
показать свернутьТип проводимости и конфигурация | ||
---|---|---|
Рассеиваемая мощность | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
Ток коллектора | ||
Коэффициент усиления по току | ||
Примечание | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 24
показать свернутьФайлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.