YJS10N02A

Yangjie
RoHS YJS10N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% ▽VDS Tested 20V 10A ＜13.5mohm ＜17mohm ＜25mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and current handing capability ● High Speed switching SOP-8 Applications ● Battery protect...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид YJS05N06A
Внешний вид YJS05N06A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJQ4410 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — — —
P- WMS15N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в коробках 4000 шт
 
 — — —
P- NCE3010S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
P- IRF7401TR (YOUTAI)
 

IRF7401TR (INFIN) 		— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF3717 (EVVO)
 

IRF3717 (INFIN) 		SOP-8 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ WMR15N02T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ YJQ2012A (YJ)
 
DFN2020MD6 в ленте 3000 шт
 
 —
A+ WM02DN560Q (WAYON)
 
DFN83X3
 
 — — — — — — —
A+ WM02DN110C (WAYON)
 
DFN62X3
 
 — — — — — — —
A+ CJMN2012 (JSCJ)
 
—
 
 —
A+ WM02DN095C (WAYON)
 
DFN62X3
 
 — — — — — — —
A+ AO4404 (YOUTAI)
 
—
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS10N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% ▽VDS Tested 20V 10A ＜13.5mohm ＜17mohm ＜25mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and current handing capability ● High Speed switching SOP-8 Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V 10 TA=25℃ Drain Current ID A 8 TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ Total Power Dissipation 45 A 1.9 W 1.2 W PD TA=70℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 66 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS10N02A F2 Q10N02 4000 8000 64000 13“ reel 1/7 S-E013 Rev.3.0,25-Feb-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS10N02AF2 

Microsoft Word - YJS10N02A Rev 3.0

Дата модификации: 24.09.2020

Размер: 1.27 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)