YJS10N02A

SUNCOYJ
RoHS YJS10N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% ▽VDS Tested 20V 10A ＜13.5mohm ＜17mohm ＜25mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and current handing capability ● High Speed switching SOP-8 Applications ● Battery protect...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид YJS05N06A
Внешний вид YJS05N06A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJQ4410 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — — —
P- IRF7401TR (YOUTAI)
 

IRF7401TR (INFIN) 		— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE3010S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
A+ WMR15N02T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ LN2324DT2AG (LRC)
 
DFN20206S
 
 ± — — — — — —
A+ LNB2110LT1G (LRC)
 
SOT23LC
 
 ± — — — — — —
A+ LN8210DT1AG (LRC)
 
DFN30308B
 
 ± — — — — — —
A+ AO4404 (YOUTAI)
 
SOP-8
 
 — —
A+ CJMN2012 (JSCJ)
 
—
 
 —
A+ YJQ2012A (YJ)
 
DFN2020MD6 3000 шт
 
 —
A+ YJQ10N02A (YJ)
 
DFN2020MD6 3000 шт
 
 —
A+ YJH10N02A (YJ)
 
SOT-89 в ленте 100 шт — —
A+ LP7203DT1WG (LRC)
 
—
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS10N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% ▽VDS Tested 20V 10A ＜13.5mohm ＜17mohm ＜25mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and current handing capability ● High Speed switching SOP-8 Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V 10 TA=25℃ Drain Current ID A 8 TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ Total Power Dissipation 45 A 1.9 W 1.2 W PD TA=70℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 66 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS10N02A F2 Q10N02 4000 8000 64000 13“ reel 1/7 S-E013 Rev.3.0,25-Feb-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS10N02AF2 

Microsoft Word - YJS10N02A Rev 3.0

Дата модификации: 24.09.2020

Размер: 1.27 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)