CJAB20N03

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3×3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB20N03 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP 8.5mΩ@10V 30 V 12mΩ@4.5V ID PDFNWB3.3×3.3-8L 20A DESCRIPTION The CJAB20N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES  Battery s...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMQ052N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ AO4410 (YOUTAI)
 
в ленте 10 шт
 
A+ WMQ30N03T2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ JMTQ3008A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
A+ JMTQ100N04A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
A+ CJAB35N03S (JSCJ)
 
±
A+ CJAB35N03 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAB25N04S (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAB25N04 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAB25N03 (JSCJ)
 
 
±
A+ WMQ080N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ CJAC40N04 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJQ20N03 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 250 шт
 
±
A+ CJAC20N03 (JSCJ)
 
 
±
A+ WMS032N04LG2 (WAYON)
 
SOP8L 4000 шт
 
A+ YJG40N03A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
A+ YJS18N03A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
A+ YJQ35N04A (YJ)
 
20 шт
 
A+ YJQ30N03A (YJ)
 
DFN30308 5000 шт
 
A+ CRTE045N03L (CRMICRO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
A+ NCE3018AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ±
A+ WMQ40N03T1 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ NCE3020Q (NCE)
 
DFN83X3
 
±

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3×3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB20N03 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP 8.5mΩ@10V 30 V 12mΩ@4.5V ID PDFNWB3.3×3.3-8L 20A DESCRIPTION The CJAB20N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES  Battery switch  Good stability and uniformity with high EAS  Load switch  Excellent package for good heat dissipation  High density cell design for ultra low RDS(ON)  Special process technology for high ESD  Fully characterized avalanche voltage and capability current APPLICATIONS  SMPS and general purpose applications  Uninterruptible Power Supply  Hard switched and high frequency circuits MARKING CJAB 20N03 XX EQUIVALENT CIRCUIT CJAB20N03 = Part No. 8 D 7 D 6 D D 5 Solid dot = Pin1 indicator XX = Code 2 1 S 3 S 4 S G MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current ID 20 A Pulsed Drain Current IDM 100 A 70 mJ PD 1.5 W RθJA 83.3 ℃/W Junction Temperature TJ 150 ℃ Storage Temperature Range Tstg -55 ~+150 ℃ Lead Temperature for Soldering Purposes(1/8’’ from case for 10s) TL 260 ℃ Single Pulsed Avalanche Energy EAS Power Dissipation Thermal Resistance from Junction to Ambient (1) (1).EAS condition: VDD=15V,L=0.14mH, RG=25Ω, Starting TJ = 25°C (2).Mounted on a glass epoxy board of 25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mmt www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.1 PDF
Документация на CJAB20N03 

Дата модификации: 03.11.2020

Размер: 1.45 Мб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.