Вход / Регистрация

IRF7201TRPBF-VB

VBSemi
IRF7201TRPBF www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY RDS(on) (Ω) ID (A)a 0.008 at VGS= 10 V 13 0.011 at VGS = 4.5 V 11 VDS (V) 30 Qg (Typ.) 6.1 nC • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 % Rg Tested • 100 % UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch SO-8 D S 1 8 D ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: —
  • Норма упаковки: 100  шт. (в ленте)

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P- CJQ4410 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
P- YJS12N03A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
P- WMS10DN03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P- NCE3009S (NCE)
 
SO-8 SOIC8
P- IRF7201 (EVVO)
 

IRF7201 (INFIN) 		SOP-8 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
IRF7201TRPBF www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY RDS(on) (Ω) ID (A)a 0.008 at VGS= 10 V 13 0.011 at VGS = 4.5 V 11 VDS (V) 30 Qg (Typ.) 6.1 nC • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 % Rg Tested • 100 % UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch SO-8 D S 1 8 D S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D G Top View S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) Symbol VDS VGS TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C ID IDM Pulsed Drain Current TC = 25 °C TA = 25 °C IS Single Pulse Avalanche Current Avalanche Energy L = 0.1 mH IAS EAS Maximum Power Dissipation TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C PD Continuous Source-Drain Diode Current Limit 30 ± 20 13 10 TJ, Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range Unit V 9b, c 7b, c 45 3.7 A 2.0b, c 20 21 4.1 2.5 mJ 2.2b, c 1.3b, c - 55 to 150 W °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Maximum Junction-to-Ambientb, d Maximum Junction-to-Foot (Drain) t ≤ 10 s Steady State Symbol RthJA RthJF Typical 39 25 Maximum 55 29 Unit °C/W Notes: a. Base on TC = 25 °C. b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board. c. t = 10 s. d. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W. 1 PDF
Документация на IRF7201TRPBF-VB 

Дата модификации: 09.06.2023

Размер: 417.9 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.