NCEP6060GU

NCEP6060GU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP6060GU uses Super Trench technology that is General Features uniquely optimized to provide the most efficient high ● VDS =60V,ID =60A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=5.6mΩ (typical) @ VGS=10V switching power losses are minimized due to an extremely low ● Excellent...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= HGQ09N06A (CRMICRO)
 
PDFN8L5X6
 
P= CJAC13TH06 (JSCJ)
 
в ленте 20 шт
 
±
P= YJG70G06A (YJ)
 
20 шт
 
A+ YJD90N06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ BLM07N06-D (CN BELL)
 
TO2522L
 
N-Channel Trench MOSFET, TO-252-2L, 60 V, 95 A, 0,006 Ohm Special process technology for high ESD capability, High density cell design for lower Rdson, Fully characterized avalanche voltage and current, Good stability and uniformity with high EAS, Excellent package for good heat dissipation, UIS TESTED, DVDS TESTED, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Uninterruptible power supply
A+ JMSL0606AG (JIEJIE)
 
 
A+ JMSH0606AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0606AE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ YJQ62G06A (YJ)
 
в ленте 10 шт
 
A+ YJG80G06B (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ YJD80G06C (YJ)
 
TO252 2500 шт
A+ WMO060N06LG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ YJG95G06A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ YJG85G06AK (YJ)
 
 
A+ CJAC100SN08U (JSCJ)
 
125 шт ±
A+ YJG80G06A (YJ)
 
1 шт
 
A+ WMO80N06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMQ060N06LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ YJQ70G06A (YJ)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
A+ WMK80N06T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ JMTK060N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ CS120N06C8 (CRMICRO)
 
TO220AB в линейках 1000 шт
 
A+ WMK100N07TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ JMSL0606AKQ-13 (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
NCEP6060GU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP6060GU uses Super Trench technology that is General Features uniquely optimized to provide the most efficient high ● VDS =60V,ID =60A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=5.6mΩ (typical) @ VGS=10V switching power losses are minimized due to an extremely low ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for ● Very low on-resistance RDS(on) high-frequency switching and synchronous rectification. ● 150 °C operating temperature Application ● Pb-free lead plating ● DC/DC Converter ● Ideal for high-frequency switching and 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! synchronous rectification DFN 5X6 Top View Schematic Diagram Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity P6060GU NCEP6060GU DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 60 A ID (100℃) 43.5 A Pulsed Drain Current IDM 170 A Maximum Power Dissipation PD 70 W 0.56 W/℃ EAS 320 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) RθJC 1.78 ℃/W Thermal Resistance,Junction-to-Ambient(Note 2) RθJA 50 ℃/W Drain Current-Continuous (Silicon Limited) Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V4.0 PDF
Документация на NCEP6060GU 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 22.07.2021

Размер: 745.4 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.