YJD90N06A
RoHS
YJD90N06A
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=10V)
● RDS(ON)( at VGS=4.5V)
● 100% EAS Tested
● 100% ▽VDS Tested
60 V
90 A
<7.2 mohm
<8.5 mohm
General Description
● Trench Power MV MOSFET technology
● Excellent package for heat dissipation
● High density cell design for low RDS(ON)
● Moisture Sensitivity Level 1
● ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
- Норма упаковки: 2500 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO252 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 23
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | YJB150G06AK (YJ) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG95G06A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG175G06AR (YJ) | — | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | JMSH0804NE-13 (JIEJIE) | TO263 | 800 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSH0606AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | BLM07N06-D (CN BELL) | TO2522L | N-Channel Trench MOSFET, TO-252-2L, 60 V, 95 A, 0,006 Ohm | Special process technology for high ESD capability, High density cell design for lower Rdson, Fully characterized avalanche voltage and current, Good stability and uniformity with high EAS, Excellent package for good heat dissipation, UIS TESTED, DVDS TESTED, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Uninterruptible power supply | |||||||||||||
A+ | BLM04N06-B (CN BELL) | — | N-Channel Trench MOSFET, TO-263, 60 V, 150 A, 0,0035 Ohm | Special process technology for high ESD capability, High density cell design for lower Rdson, Fully characterized avalanche voltage and current, Good stability and uniformity with high EAS, Excellent package for good heat dissipation, UIS TESTED, DVDS TESTED, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Uninterruptible power supply | |||||||||||||
A+ | CJAC100SN08U (JSCJ) | — | 125 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJAC13TH06 (JSCJ) | — | в ленте 20 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJAC130SN06L (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJG85G06AK (YJ) | — | — | — | |||||||||||||
A+ | JMTK060N06A (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CS120N06C8 (CRMICRO) | TO220AB | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | JMSH0804NC-U (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | WML025N06HG2 (WAYON) | TO220F | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMK100N07TS (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMK040N08HGS (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB040N08HGS (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB034N06HG4 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMO030N06LG4 (WAYON) | TO252 | в коробках 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMO030N06HG4 (WAYON) | TO252 | в коробках 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMM040N08HGS (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | JMSL0602AG-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.