RU20D7H

Ruichi
RU20D7H N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description • 20V/7A, D2 RDS (ON) =13mΩ(Typ.)@VGS=4.5V RDS (ON) =16mΩ(Typ.)@VGS=2.5V D2 D1 • Low RDS (ON) • Super High Dense Cell Design • Reliable and Rugged • Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D1 G2 S2 G1 pin1 S1 SOP-8 Applications D1 D2 • Power Management G1 G2 S1 S2 Dual N-Channel MOSFET Absolute Maxi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CJS8804 (JSCJ)
 
TSSOP-8 ± — — — — —
A+ CJS9004 (JSCJ)
 
TSSOP-8
 
 ± — — — — —
A+ CJND2004 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJCD2007 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJCD2005 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJCD2004 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJBE5005 (JSCJ)
 
— ± — — — — —
A+ CJ6617SP (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJ4506SP (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ LDN2012DT2AG (LRC)
 
DFN2030
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RU20D7H N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description • 20V/7A, D2 RDS (ON) =13mΩ(Typ.)@VGS=4.5V RDS (ON) =16mΩ(Typ.)@VGS=2.5V D2 D1 • Low RDS (ON) • Super High Dense Cell Design • Reliable and Rugged • Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D1 G2 S2 G1 pin1 S1 SOP-8 Applications D1 D2 • Power Management G1 G2 S1 S2 Dual N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Rating Unit Common Ratings (TA=25°C Unless Otherwise Noted) VDSS Drain-Source Voltage 20 VGSS Gate-Source Voltage ±12 Maximum Junction Temperature 150 °C -55 to 150 °C TA=25°C 7 A TA=25°C 28 A TA=25°C 7 TA=70°C 5.6 TA=25°C 2.5 TA=70°C 1.6 TJ TSTG IS Storage Temperature Range Diode Continuous Forward Current V Mounted on Large Heat Sink ① 300μs Pulse Drain Current Tested ID ② Continuous Drain Current(VGS=4.5V) PD Maximum Power Dissipation IDP RJC RJA ③ Thermal Resistance-Junction to Case Thermal Resistance-Junction to Ambient A W - °C/W 50 °C/W - mJ Drain-Source Avalanche Ratings ④ EAS Avalanche Energy, Single Pulsed Shenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd Rev. A– JUN., 2018 1 www.ruichips.com PDF
Документация на RU20D7H 

RU20D7H.xlsx

Дата модификации: 19.06.2018

Размер: 406.1 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)