RU8205C6

Ruichi
RU8205C6 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description • 20V/6A, G2 RDS (ON) =18mΩ(Typ.)@VGS=4.5V D1/D2 RDS (ON) =23mΩ(Typ.)@VGS=2.5V • Low RDS (ON) • Super High Dense Cell Design • Reliable and Rugged • Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G1 S2 D1/D2 Dual N-Channel MOSFET S1 SOT23-6 D1 Applications D2 • Power Management G1 G2 S1 S2 Dual N-Channel M...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJS8205B (YJ)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ CJCD2004 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ LDN2367T1G (LRC)
 
SOT26
 
 ± — — — — — —
A+ LDN2012DT2AG (LRC)
 
DFN2030
 
 ± — — — — —
A+ CJS8810 (JSCJ)
 
TSSOP-8 10 шт ± — — — — —
A+ CJS8804 (JSCJ)
 
TSSOP-8 ± — — — — —
A+ CJL8820 (JSCJ)
 
SOT236L
 
 ± — — — — —
A+ CJL8810 (JSCJ)
 
SOT236L ± — — — — —
A+ CJL2016 (JSCJ)
 
SOT236L 60 шт
 
 ± — — — — —
A+ CJL2013 (JSCJ)
 
SOT236L ± — — — — —
A+ CJCD2007 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJCD2005 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ LDN8205FT1G (LRC)
 
SOT26
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RU8205C6 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description • 20V/6A, G2 RDS (ON) =18mΩ(Typ.)@VGS=4.5V D1/D2 RDS (ON) =23mΩ(Typ.)@VGS=2.5V • Low RDS (ON) • Super High Dense Cell Design • Reliable and Rugged • Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G1 S2 D1/D2 Dual N-Channel MOSFET S1 SOT23-6 D1 Applications D2 • Power Management G1 G2 S1 S2 Dual N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TA=25°C Unless Otherwise Noted) VDSS Drain-Source Voltage 20 VGSS Gate-Source Voltage ±12 Maximum Junction Temperature 150 °C -55 to 150 °C TA=25°C 1.7 A TA=25°C 24 A TA=25°C 6 TA=70°C 4.5 TA=25°C 1.25 TA=70°C 0.75 TJ TSTG IS Storage Temperature Range Diode Continuous Forward Current V Mounted on Large Heat Sink ① 300μs Pulse Drain Current Tested ID ② Continuous Drain Current(VGS=4.5V) PD Maximum Power Dissipation IDP RqJC RqJA ③ Thermal Resistance-Junction to Case Thermal Resistance-Junction to Ambient A W - °C/W 100 °C/W TBD mJ Drain-Source Avalanche Ratings EAS ④ Avalanche Energy, Single Pulsed Ruichips Semiconductor Co., Ltd Rev. C– AUG., 2015 1 www.ruichips.com PDF
Документация на RU8205C6 

Subject: Ruichips Datasheet

Дата модификации: 19.03.2019

Размер: 1.22 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)