2N7002ET1G

VBSemi
2N7002ET1G www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) (Ω) ID (mA) 2.8 at VGS = 10 V 60 250 SOT-23 G 1 3 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Low Threshold: 2 V (typ.) • Low Input Capacitance: 25 pF • Fast Switching Speed: 25 ns • Low Input and Output Leakage • TrenchFET® Power MOSFET • 1200V ESD Protection • Compliant to R...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= 2N7002E (JSMICRO)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — — —
P= 2N7002ET1G-VB (VBSEMI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ 2N7000 (DC)
 

2N7000 LEAD (ONS-FAIR) 		TO-92-3 1000 шт
 
 — —
A+ 2N7002K (HOTTECH)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ MMBF170LT1G (VBSEMI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ BSS159N (VBSEMI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ BSS138LT1G-VB (VBSEMI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ 2N7002LT1G (VBSEMI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ BSS138KWJ (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ 2N7002KCW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — —
A+ 2N7002KC (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ 2N7002C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ 2N7002 (YJ)
 

2N7002 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ 2N7002DW (EVVO)
 

2N7002DW (ONS-FAIR) 		SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ BSS138LT1G (JSMICRO)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ 2N7002K (JSCJ)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
2N7002ET1G www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) (Ω) ID (mA) 2.8 at VGS = 10 V 60 250 SOT-23 G 1 3 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Low Threshold: 2 V (typ.) • Low Input Capacitance: 25 pF • Fast Switching Speed: 25 ns • Low Input and Output Leakage • TrenchFET® Power MOSFET • 1200V ESD Protection • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D BENEFITS S 2 Top View D • • • • • Low Offset Voltage Low-Voltage Operation Easily Driven Without Buffer High-Speed Circuits Low Error Voltage APPLICATIONS • Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS • Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Display, Memories, Transistors, etc. • Battery Operated Systems • Solid-State Relays G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Drain-Source Voltage VDS 60 Gate-Source Voltage VGS ± 20 Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)b TA = 25 °C TA = 100 °C Pulsed Drain Currenta Power Dissipationb ID IDM TA = 25 °C TA = 100 °C Maximum Junction-to-Ambientb Operating Junction and Storage Temperature Range PD Unit V 250 150 mA 800 0.30 0.13 W RthJA 350 °C/W TJ, Tstg - 55 to 150 °C Notes: a. Pulse width limited by maximum junction temperature. b. Surface Mounted on FR4 board. * Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply. JSRRJ T 1 PDF
Документация на 2N7002ET1G 

Subject:

Дата модификации: 08.02.2023

Размер: 237.8 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)