Вход / Регистрация

BSS138LT1G-VB

VBSemi
BSS138LT1G www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) (Ω) ID (mA) 2.8 at VGS = 10 V 60 250 SOT-23 G 1 3 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Low Threshold: 2 V (typ.) • Low Input Capacitance: 25 pF • Fast Switching Speed: 25 ns • Low Input and Output Leakage • TrenchFET® Power MOSFET • 1200V ESD Protection • Compliant to R...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид IRLML0030TRPBF
  • Корпус: —
  • Норма упаковки: 3000  шт. (в ленте)

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= WM06N03M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BSS138LT1G (JSMICRO)
 
SOT-23-3 в ленте 500 шт
 
P= LBSS138LT1G (LRC)
 
— 1 шт
 
P= WM05N02M (WAYON)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
P= BSS138 (HOTTECH)
 

BSS138 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= LBSS139LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
P= BSS138 (YJ)
 

BSS138 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BSS138 (EVVO)
 

BSS138 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BSS138 (YOUTAI)
 

BSS138 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BSS138 (SHIKUES)
 

BSS138 (DIODES) 		SOT-23-3 15 шт
 
P= BSS138 (ANBON)
 

BSS138 (DIODES) 		SOT-23-3
 
P= BSS138 SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 100 шт
 
P= 2N7002W (JSCJ)
 

2N7002W (ONS-FAIR) 		SOT-323-3
 
P= 2N7002W (YJ)
 

2N7002W (ONS-FAIR) 		SOT-323-3 в ленте 3000 шт
P= 2N7002KC (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= 2N7002K SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3 2460 шт
 
P= 2N7002K (JSCJ)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= 2N7002K (NCE)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= CS3N06AS-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
P= 2N7002K (SHIKUES)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 

Файлы 1

показать свернуть
BSS138LT1G www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) (Ω) ID (mA) 2.8 at VGS = 10 V 60 250 SOT-23 G 1 3 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Low Threshold: 2 V (typ.) • Low Input Capacitance: 25 pF • Fast Switching Speed: 25 ns • Low Input and Output Leakage • TrenchFET® Power MOSFET • 1200V ESD Protection • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D BENEFITS S 2 Top View D • • • • • Low Offset Voltage Low-Voltage Operation Easily Driven Without Buffer High-Speed Circuits Low Error Voltage APPLICATIONS • Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS • Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Display, Memories, Transistors, etc. • Battery Operated Systems • Solid-State Relays G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Drain-Source Voltage VDS 60 Gate-Source Voltage VGS ± 20 Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)b TA = 25 °C TA = 100 °C Pulsed Drain Currenta Power Dissipationb ID IDM TA = 25 °C TA = 100 °C Maximum Junction-to-Ambientb Operating Junction and Storage Temperature Range PD Unit V 250 150 mA 800 0.30 0.13 W RthJA 350 °C/W TJ, Tstg - 55 to 150 °C Notes: a. Pulse width limited by maximum junction temperature. b. Surface Mounted on FR4 board. * Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply. 1 PDF
Документация на BSS138LT1G 

Subject:

Дата модификации: 18.10.2023

Размер: 559.1 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.