WMK75N03T1
WMK75N03T1
30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMK75N03T1 uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
yet maintain superior switching performance.
Features
VDS= 30V, ID = 75A
GD
RDS(on) < 6mΩ @ VGS = 10V
S
TO-220
RDS(on) < 9mΩ @ VGS = 4.5V
Green Device Available
Low Gate Charge
Advan...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-220-3
- Норма упаковки: 50 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO-220-3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность | ||
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
| Максимальное напряжение затвора | ||
| Заряд затвора | ||
| Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 25
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | IRL2203N (EVVO) IRL2203N (INFIN) | TO-220-3 | 1000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| A+ | CJU100N03S (JSCJ) | TO2522L | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | YJG100N04A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
| A+ | YJD120N04A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
| A+ | IRLR7843 (EVVO) IRLR7843 (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | BSC034N03LSG (EVVO) | — | в ленте 5000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | IRLR8743 (EVVO) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | NCE3095K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
| A+ | JMTC035N04A (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт | — | — | — | — | ||||||||||
| A+ | IRF1404 (YOUTAI) IRF1404 (INFIN) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | WMB017N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | ||||||||||
| A+ | 100N03A (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| ± | — | — | — | |||||||||
| A+ | YJG105N03A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт | Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
| A+ | WMQ023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | WMO96N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | WMO80N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | WMO75N04T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | WMO150N03T1 (WAYON) | TO252 | в коробках 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | WMB70N04T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | WMB108N03T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | WMB032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | WMB023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | WMB018N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | WMQ032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | WMQ80N03T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMK75N03T1
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 16.11.2022
Размер: 991 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.